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“北京原子層沉積”招標(biāo)預(yù)告信息

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近期北京市關(guān)于原子層沉積的招標(biāo)預(yù)告，業(yè)主單位分別為：北京大學(xué)，清華大學(xué)，中國科學(xué)院金屬研究所，中國科學(xué)院近代物理研究所，北京理工大學(xué)，中國科學(xué)院贛江創(chuàng)新研究院，項(xiàng)目名稱分別是，2026年2月政府采購意向-原子層沉積系統(tǒng)詳細(xì)情況萬元人民幣，2026年3月政府采購意向-原子層沉積系統(tǒng)詳細(xì)情況萬元人民幣，2025年9至12月政府采購意向-多功能薄膜集成原子層沉積系統(tǒng)詳細(xì)情況萬元人民幣，2025年9至12月政府采購意向-原子層沉積ALD系統(tǒng)詳細(xì)情況萬元人民幣等，主要地區(qū)為：北京，最新項(xiàng)目為：2026年2月政府采購意向-原子層沉積系統(tǒng)詳細(xì)情況萬元人民幣，更新時(shí)間為：2026/1/9，更多信息請查看下方列表
本設(shè)備是通過控制沉積周期的次數(shù)進(jìn)而實(shí)現(xiàn)薄膜厚度的精確控制支撐器件芯片研制和工藝研發(fā)。 查看詳情>>
子層沉積系統(tǒng) 查看詳情>>
用具有較高集成度的原子層沉積工藝制備高精度、高均勻性、高質(zhì)量的先進(jìn)薄膜材料覆蓋導(dǎo)體、絕緣體及半導(dǎo)體包括單質(zhì)、氧化物、氮化物、二維材料等復(fù)雜材料體系開發(fā)前沿 查看詳情>>
子層沉積主要用于沉積氧化物、氮化物及金屬薄膜主要應(yīng)用于OLED、玻璃強(qiáng)化、太陽能電池鈍化層、微米納米顆粒功能性包裹、銀器的防氧化處理、高精度光學(xué)玻璃鍍膜和鋰電池等 查看詳情>>
子層沉積系統(tǒng) 查看詳情>>
子層沉積系統(tǒng)1臺(tái)套要求設(shè)備所能處理的最大卷材寬度不低于200mm;生長速率氧化鋁不低于0.9A/Cycle;設(shè)備能夠處理的基底厚度范圍不少于0.05-0.2mm;基底能夠穩(wěn)定通過反應(yīng)區(qū)的最大速 查看詳情>>
該設(shè)備用于氧化鉿的高均勻性生長需滿足以下條件：1、內(nèi)外雙腔結(jié)構(gòu)內(nèi)腔可拆卸；2、配備loadlock腔 查看詳情>>
該設(shè)備用于三氧化二鋁的高均勻性生長需滿足以下條件：1、內(nèi)外雙腔結(jié)構(gòu)內(nèi)腔可拆卸；2、配備loadloc 查看詳情>>
膜厚均勻性（WiW<3%WtW<3%BtB<2%）；階梯覆蓋率100%。 查看詳情>>
子層沉積系統(tǒng)：均勻性優(yōu)于+/-0.35%、階梯覆蓋率100%、并可以實(shí)現(xiàn)大于 查看詳情>>
子層沉積ALD系統(tǒng) 查看詳情>>
：金屬及金屬氧化物原子層沉積設(shè)備。采購數(shù)量為1臺(tái)。采購標(biāo)的主要功能：滿足8英寸晶圓薄膜生長腔體腔體數(shù)量為4個(gè)3個(gè)熱法腔體 查看詳情>>
1.采購標(biāo)的名稱：原子層沉積設(shè)備 查看詳情>>
離子體超高真空高溫原子層沉積設(shè)備1臺(tái)用于實(shí)現(xiàn)超薄二維原子晶體材料大尺寸、大晶粒、原子層可控制備。生長樣品尺寸可兼容2英寸生長加熱溫度可達(dá)500℃加熱臺(tái)最高加熱溫度可達(dá)1000℃；包含6路前驅(qū)體源 查看詳情>>
設(shè)備應(yīng)由ALD粉末反應(yīng)系統(tǒng)、前驅(qū)體源系統(tǒng)軟件控制系統(tǒng)等部分組成 查看詳情>>
   2024年11月政府采購意向-原子層沉積詳細(xì)情況萬元人民幣

招標(biāo)預(yù)告 | 2024-09-27丨 北京

本設(shè)備是通過控制沉積周期的次數(shù)進(jìn)而實(shí)現(xiàn)薄膜厚度的精確控制支撐器件芯片研制和工藝研發(fā)。 查看詳情>>
空度磁控濺射系統(tǒng)、原子層沉積系統(tǒng)（ALD）、鐵電測試系統(tǒng)和RTP快速退火設(shè)備。其中高真空度磁控濺射系統(tǒng)用于在高真空條件下沉積HfO？基鐵電薄膜確保薄 查看詳情>>
子層沉積系統(tǒng)在厚度、成分、結(jié)構(gòu)等沉積參數(shù)方面高度可控可用于12英寸基片的圖形側(cè)壁沉積工藝 查看詳情>>
   北京航空航天大學(xué)2024年7至12月政府采購意向

招標(biāo)預(yù)告 | 2024-07-15丨 北京

   清華大學(xué)2024年5至7月政府采購意向

招標(biāo)預(yù)告 | 2024-07-04丨 北京

子層沉積（T-ALD）方法或者等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）方法制備高度致密的、無針孔和無顆粒的、納米尺度的氧化物、氮化物和金屬薄膜。 查看詳情>>
：原子級材料生長、原子層沉積與刻蝕、原子級制造的測量和表征、原子級制造基礎(chǔ)理論等方面。 查看詳情>>
1.采購標(biāo)的名稱：原子層沉積 查看詳情>>
子層沉積設(shè)備以單原子膜形式逐層鍍在基底表面與普通的化學(xué)沉積有相似之處但在原子層沉積過程中新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的每次反應(yīng)只沉積一層原子。用于先進(jìn)鈣鈦礦太陽電池中金屬氧化物薄膜S 查看詳情>>
于科學(xué)研究領(lǐng)域的單原子層沉積系統(tǒng)在90℃低溫條件下生長高質(zhì)量氧化鉿生長薄膜均勻性高缺陷數(shù)量少可重復(fù)性高。低溫生長柵介質(zhì)對于微納米平臺(tái)制作晶體管器件和其他納米器件具有很大的推動(dòng)作用尤其生長介質(zhì)的 查看詳情>>
循環(huán)周期小于2秒、適用于通孔和多孔的基底材料、可快速加熱和冷卻的冷壁真空反應(yīng)腔 查看詳情>>
于科學(xué)研究領(lǐng)域的單原子層沉積系統(tǒng)在90℃低溫條件下生長高質(zhì)量氧化鉿生長薄膜均勻性高缺陷數(shù)量少可重復(fù)性高。低溫生長柵介質(zhì)對于微納米平臺(tái)制作晶體管器件和其他納米器件具有很大的推動(dòng)作用尤其生長介質(zhì)的 查看詳情>>
子層沉積系統(tǒng)（ALD）可用于生長介質(zhì)層材料該系統(tǒng)通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入ALD反應(yīng)腔分別化學(xué)吸附在襯底上反應(yīng)生成薄膜材料并且在前軀體脈沖之間須用惰性氣體對ALD反應(yīng)腔進(jìn)行清洗。ALD反應(yīng)器有多 查看詳情>>
200mm樣品處理能力；免水氧條件進(jìn)樣；多進(jìn)料管線和端口協(xié)同工作；精確沉積特定元素比例和厚度的合金涂 查看詳情>>
碳基柵疊層項(xiàng)目是為推動(dòng)碳基芯片的發(fā)展而設(shè)立針對碳納米管襯底的半導(dǎo)體器件由于碳納米管直徑在幾個(gè)納米的范 查看詳情>>
溫度范圍：100~500℃控溫精確度±1℃內(nèi)腔材質(zhì)：Ti合金金屬沾污：<5e10/cm2；本底 查看詳情>>
該設(shè)備用于制備原子層厚度介質(zhì)薄膜重點(diǎn)滿足高端產(chǎn)業(yè)人才課程實(shí)訓(xùn)平臺(tái)建設(shè)需求同時(shí)提升集成電路（IC）和微 查看詳情>>
Al2Ox厚度可達(dá)到<1nm、可以室溫運(yùn)行、兼容Plasma 查看詳情>>
1、兼容12寸及以下晶圓的薄膜沉積；2、具備2個(gè)工藝腔體分別用于沉積介質(zhì)薄膜和金屬薄膜(TiN薄膜的 查看詳情>>

各地區(qū)招標(biāo)預(yù)告：

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