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1采購需求一總體說明1本章所提出的技術(shù)要求是對本次招標(biāo)貨物及伴隨服務(wù)的基本要求，并未涉及所有技術(shù)細(xì)節(jié)，也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范的全部條款。投標(biāo)人應(yīng)保證其提供的貨物及伴隨服務(wù)除了滿足本技術(shù)要求外，還應(yīng)符合中國國家、行業(yè)、地方或設(shè)備制造商所在國的有關(guān)強制性標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范。當(dāng)上述標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范的有關(guān)規(guī)定之間存在差異時，應(yīng)以要求高的為準(zhǔn)。2本章中提及的工藝、材料、設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)及品牌或型號（如有）僅起說明作用，并沒有強制性。投標(biāo)人在投標(biāo)中可以用替代工藝、材料、設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)及品牌或型號，但這種替代須實質(zhì)上滿足、等同或優(yōu)于本章技術(shù)要求，同時須提供相關(guān)證明材料，否則可能被評標(biāo)委員會認(rèn)定為負(fù)偏離。3除非有特別說明，本章中所列的具體參數(shù)或參數(shù)范圍，均理解為采購人可接受的最低要求。4“3技術(shù)要求”中標(biāo)記“★”技術(shù)要求為實質(zhì)性要求，不接受負(fù)偏離，如有負(fù)偏離，視為無效投標(biāo)，標(biāo)記“▲”及未標(biāo)記技術(shù)要求根據(jù)評分辦法中相關(guān)規(guī)定進行評審。5中標(biāo)的核心產(chǎn)品的數(shù)量、單價、規(guī)格等將予以公布。二技術(shù)規(guī)格要求1項目簡介合肥同步輻射裝置儀器設(shè)備更新改造項目計劃建設(shè)計量標(biāo)定平臺以提升軟X射線-極紫外波段光學(xué)元件高精度測量能力，為支撐平臺所需精密光學(xué)元件的研發(fā)與制作，現(xiàn)擬采購高精密磁控濺射鍍膜設(shè)備1臺。2需求明細(xì)本項目招標(biāo)采購高精密磁控濺射鍍膜設(shè)備1臺。2采購清單采購標(biāo)的名稱數(shù)量單位高精密磁控濺射鍍膜設(shè)備1臺3技術(shù)要求功能描述：主要用于在精密光學(xué)元件表面鍍制原子級厚度周期性多層反射膜，特別是需要支持Mo/Si/Ru/B4C等材料的高精膜層鍍制。擬購置的高精密磁控濺射鍍膜設(shè)備應(yīng)采用行星式公/自轉(zhuǎn)磁控濺射鍍膜方式，設(shè)備主體由高真空樣品裝載腔室、超高真空鍍膜工藝腔室、傳輸系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng)以及配套設(shè)施等構(gòu)成，其技術(shù)要求如下：項目技術(shù)要求編號需求整機工藝要求★31支持鍍膜樣品最大尺寸≥Ф300mm。32適用于硅/玻璃材質(zhì)的平面/球面/非球面樣品鍍膜?！?3可鍍制的膜層材料種類至少包括Mo/Si/Ru/B4C。樣品裝載腔室34矩形腔室，截面尺寸≥1700mm（長）×700mm（寬）；側(cè)開門，腔室門處采用雙層氟橡膠密封圈密封；腔體采用優(yōu)質(zhì)冷軋304不銹鋼材質(zhì)，外表面噴砂處理?！?5腔室漏率≤50×10-12mbar/Ls-1，本底真空度≤50×10-6mbar。36底部裝配紅外加熱器，最高加熱溫度≥120℃。▲37內(nèi)部配備攝像頭，帶夜視功能，清晰度≥1080P，供電電壓≤24V，攝像頭數(shù)量≥2套。38腔室配備N2或壓縮空氣可快/慢充氣管路，數(shù)量≥2路。傳輸系統(tǒng)39樣品裝載腔室與工藝鍍膜腔室之間加裝傳輸門閥?！?10采用旋轉(zhuǎn)對稱載盤夾持樣品；載盤可裝載樣品最大尺寸≥Ф300mm×60mm，最大載重≥10kg，數(shù)量≥2個。311載盤從樣品裝載室到鍍膜工藝室以及返回樣品裝載室的過程全自動化。3鍍膜工藝腔室312圓柱形腔室，腔體直徑≥1700mm；采用優(yōu)質(zhì)冷軋304不銹鋼材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，外表面噴砂處理；腔體頂部蓋子采用升降旋轉(zhuǎn)打開方式。313腔體側(cè)壁配備CF400法蘭接口，數(shù)量≥2個；腔體側(cè)壁配備CF250法蘭接口，數(shù)量≥2個；腔體側(cè)壁配備CF25法蘭接口，數(shù)量≥10個；腔體側(cè)壁配備CF100觀察窗口，數(shù)量≥8個；腔室底部配備CF100法蘭，數(shù)量≥8個。★314腔室漏率≤50×10-12mbar/Ls-1，本底真空度≤50×10-8mbar。315腔室內(nèi)部設(shè)有擋板和側(cè)壁襯板，數(shù)量≥2套。316腔室底部加裝加熱器，最高加熱溫度≥200℃。317腔室配備N2或壓縮空氣可快/慢充氣管路，數(shù)量≥2路?！?18腔室外壁纏繞循環(huán)水管道，配備冷/熱水交換系統(tǒng)，溫度范圍：20~90℃。氣體管路319鍍膜工藝腔室氣體管路管徑尺寸為1/4英寸，配備VCR接頭，管路配備混氣罐；工藝氣體管路須分別配備獨立質(zhì)量流量計（MFC）及氣動截止閥，管路數(shù)量≥8路；中央進氣口配備氣體噴淋器。磁控陰極★320采用獨立控制的窄陽極罩設(shè)計平面矩形磁控陰極，配備獨立冷卻專用銅背板，濺射方式支持直流及脈沖濺射；靶材尺寸≥400mm（長）×90mm（寬），數(shù)量≥5套，其中兼容射頻濺射陰極數(shù)量≥1套?！?21陰極安裝于工藝鍍膜腔室底部法蘭，配備陰極獨立升降系統(tǒng)，與樣品距離可調(diào)范圍：50~150mm。★322磁控陰極工作壓力范圍：8×10-4~5×10-2mbar。323每個濺射陰極須配備獨立電源，其中：直流（DC）電源功率≥6kW，數(shù)量≥2個；低功率脈沖直流（DC-Pulse）電源功率≥15kW，數(shù)量≥2個；4高功率脈沖直流（DC-Pulse）電源功率≥5kW，數(shù)量≥2個；射頻（RF）電源功率≥1kW，數(shù)量≥1個；偏壓電源功率≥15kW，數(shù)量≥2個?！?24提供高純Si靶，純度≥99999%，數(shù)量≥2片；提供高純Mo靶，純度≥9995%，數(shù)量≥2片；提供高純B4C靶，純度≥995%，數(shù)量≥1片；提供高純C靶，純度≥99999%，數(shù)量≥1片。射頻離子源325采用射頻ICP離子源，頻率≥1356MHz，功率≥3kW?！?26離子源須采用水冷方式冷卻。旋轉(zhuǎn)機構(gòu)327公轉(zhuǎn)主軸安裝在鍍膜工藝腔室底部中心位置，由伺服電機驅(qū)動，電機功率≥3kW；主軸與腔室密封方式采用磁流體密封?！?28主軸懸臂與載盤連接采用自定心夾緊機構(gòu)，配備載盤夾緊傳感器，定位偏差絕對值≤02mm?！?29主軸公轉(zhuǎn)速度調(diào)節(jié)范圍：0~5轉(zhuǎn)/分鐘，角度偏移絕對值≤005°，調(diào)速步長≤002°；主軸公轉(zhuǎn)重復(fù)定位偏差絕對值≤005°?！?30樣品自轉(zhuǎn)最大轉(zhuǎn)速≥300轉(zhuǎn)/分鐘。▲331提供不銹鋼材質(zhì)平面假負(fù)載，數(shù)量≥2個；提供鋁合金材質(zhì)曲面假負(fù)載，數(shù)量≥2個。真空系統(tǒng)★332樣品裝載腔室泵組采用真空無油泵組，數(shù)量≥1組；真空（5×10-6mbar）建立時間≤120分鐘?！?33鍍膜工藝腔室泵組采用真空無油泵組，數(shù)量≥2組；鍍膜工藝腔真空（5×10-8mbar）建立時間≤48小時。334樣品裝載腔室配備全量程真空規(guī)，測量范圍：5×10-9~103mbar，數(shù)量≥1組；鍍膜工藝腔室配備全量程真空規(guī)，測量范圍：5×10-9~103mbar，數(shù)量≥1組；配備熱陰極電離規(guī)，測量范圍：10-10~10mbar，數(shù)量≥1組；配備真空薄膜規(guī)，測量范圍：10-5~5×10-2mbar，數(shù)量≥2組；