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某實驗室多腔體級聯(lián)薄膜生長系統(tǒng)公開招標公告采購需求(多腔體級聯(lián)薄膜生長系統(tǒng)).pdf

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合肥市 2025-11-24 254.94KB 業(yè)主:天內(nèi)將產(chǎn)品撤出現(xiàn)場
內(nèi)容簡介

1采購需求一總則11本技術規(guī)格所提出的要求是對本次招標貨物的基本技術要求,并未涉及所有技術細節(jié),也未充分引述有關標準、規(guī)范的全部條款。投標人應保證其提供的貨物除了滿足本技術規(guī)格的要求外,還應符合中國國家、行業(yè)、地方或設備制造商所在國的有關標準、規(guī)范(尤其是必須符合中國國家標準的有關強制性規(guī)定)。12本技術規(guī)格中提及的工藝、材料、設備的標準及參考品牌或型號(如有)僅起說明作用,并沒有強制性。投標人在投標中可以用替代工藝、材料、設備的標準及品牌或型號,但這種替代須實質(zhì)上滿足、等同或優(yōu)于本技術規(guī)格的要求,否則其投標無效。13中標的主要產(chǎn)品的數(shù)量、單價、規(guī)格等將予以公布。二采購范圍序號標的名稱單位數(shù)量備注1多腔室級聯(lián)薄膜生長A系統(tǒng)套2設備主要組成:包含去氣腔室、預清洗腔室、氧化腔室、Al磁控濺射腔室、Nb磁控濺射腔(數(shù)量2個)、自動化傳送及對位系統(tǒng)2多腔室級聯(lián)薄膜生長B系統(tǒng)套1設備主要組成:包含中央轉接腔、去氣腔(1個)、預清洗腔(1個)、Nb濺射腔(2個)、Au濺射腔(1個)、PdAu濺射腔(1個)、Ti濺射腔(1個)三技術要求31標識符號標識類型標識符號標識符號含義實質(zhì)性參數(shù)★負偏離或未響應視為實質(zhì)性不響應招標文件要求重要參數(shù)●重要技術指標,根據(jù)評分辦法中相關要求進行評審一般參數(shù)無標識一般技術指標,根據(jù)評分辦法中相關要求進行評審注:標識條款中如包含多條子項技術參數(shù)或要求,則需滿足或優(yōu)于該標識條款內(nèi)所有子項技術參數(shù)或要2求方能得分。32技術要求技術性能參數(shù)【A系統(tǒng)】具體技術性能如下:★1、襯底尺寸:支持12英寸晶圓;★2、支持晶圓厚度500-1200μm;3、自動化傳送及對位系統(tǒng):★31自動傳片機器人,支持自動上下料,傳送精度≤005mm;32至少支持晶圓材質(zhì):硅、高阻硅、高阻硅-玻璃鍵合片;33需配備晶圓預對位系統(tǒng),位移偏差精度值≤05mm;34機械動作穩(wěn)定性:馬拉松傳片≥1000片,無刮傷,無破片,無報警;35允許晶圓翹曲≤±05mm@12英寸;36與天車系統(tǒng)集成,Loadport≥2個;4、傳輸腔室:★41傳輸腔接口≥6個;●42前級泵采用干式渦旋泵,抽速為≥600m3/h;●43主泵采用兩臺低溫泵,抽速為≥2200L/s,可通過軟件來控制低溫泵自動再生;★44中央轉接腔室的極限壓強可達≤5×10-7Torr;45冷泵安裝有氣動放氣閥,用于氮氣吹掃;●46配有全量程真空計,測量范圍為大氣至10×10-9Torr,電離規(guī)測量范圍內(nèi)精度≤讀數(shù)的15%;47配有機械臂機構,傳遞樣品到各個工藝腔室;控制程序與其它工藝模塊控制系統(tǒng)集成;5、去氣腔室:51去氣腔室和傳輸腔室之間安裝有氣動隔斷門閥;●52前級泵采用干式渦旋泵,抽速≥600m3/h;●53主泵采用一臺低溫泵,抽速≥200L/s,可通過軟件控制低溫泵自動再生;54冷泵安裝有氣動放氣閥,用于氮氣吹掃;★55去氣溫度范圍:100-350℃;★56本底真空≤5×10-7Torr;357預留殘余氣體分析儀接口;6、預清洗腔室61預清洗腔和中央傳輸腔室之間安裝有氣動隔斷門閥;62前級泵采用干式渦旋泵,抽速≥600m3/h;●63腔室配置氣路≥2路,至少包含5%H2/95%He和Ar兩路,每一路需配置單獨質(zhì)量流量計;★64本底真空≤5×10-7Torr;65主泵采用抽速≥1600L/S的分子泵,分子泵轉速可調(diào);66配有電容式薄膜規(guī),滿量程為100mTorr,測量精度≤讀數(shù)的05%;7、氧化腔室●71前級泵采用干式渦旋泵,抽速≥600m3/h;●72主泵采用分子泵,抽速≥1600L/s,分子泵轉速可調(diào);★73本底真空≤5×10-8Torr;74動態(tài)氧化薄膜規(guī)量程≥200mTorr,測量精度≤05%,通過調(diào)節(jié)擺閥開度控制氣壓;75靜態(tài)氧化薄膜規(guī)量程≥200Torr測量精度≤05%;★76工藝氣體≥2路(氧氣、氬氣),每一路氣路需配置單獨質(zhì)量流量計;●77質(zhì)量流量控制計:氧氣量程≥1000sccm,氬氣≥200sccm,流量控制精度≤1%(滿量程),重復精度≤015%(滿量程);78前級管路帶有粗真空計,測量范圍從大氣到10×10-4Torr;79水冷系統(tǒng),截止閥開關各路冷卻水路,設備配有必須的冷卻水安全互鎖設計,以保護設備;710配有全量程真空計,測量范圍為大氣至10×10-9Torr,自動量程切換,電離規(guī)測量范圍內(nèi)精度≤讀數(shù)的15%;●711樣品臺至少可實現(xiàn)吸附高阻硅-玻璃鍵合片;8、Nb磁控濺射腔室(數(shù)量2個):81配有氣動充氣閥,可連接高純氬氣;配備兩套不銹鋼腔室內(nèi)襯;●82前級泵采用干式渦旋泵,抽速≥600m3/h;●83主泵采用低溫泵,抽速≥900L/s,可通過軟件控制低溫泵自動再生;★84本底真空≤5×10-8Torr;★85襯底最高溫度≤80℃;★86薄膜應力均值≤±200MPa@150nm;487配有全量程真空計,測量范圍為大氣至10×10-9Torr,電離規(guī)測量范圍內(nèi)精度≤讀數(shù)的15%;88配備電容式薄膜規(guī),滿量程≥100mTorr,測量精度≤讀數(shù)的05%;★89至少包含2路氣體(N2、Ar),每一路氣路需配置單獨質(zhì)量流量計;810質(zhì)量流量控制計:質(zhì)量流量計流量≥200sccm,流量控制精度≤1%(滿量程),重復精度≤015%(滿量程);●811每個腔室配置一臺直流電源,功率≥5KW,最大輸出電流≥6A;812通過調(diào)節(jié)冷泵門閥來實現(xiàn)氣壓控制;813樣品臺帶有背部氬氣冷卻功能,能夠均勻的冷卻基片;●814樣品臺至少可實現(xiàn)吸附高阻硅-玻璃鍵合片;★815帶有直流電機和控制器,可以在線控制靶材磁鐵的位置和轉動掃描的速度,從而優(yōu)化樣品均勻性;9、Al磁控濺射腔室91配有氣動充氣閥,可連接高純氬氣;配備至少兩套不銹鋼腔室內(nèi)襯;●92前級泵采用干式渦旋泵,抽速≥600m3/h;●93主泵采用低溫泵,抽速≥900L/s,可通過軟件控制低溫泵自動再生;★94本底真空≤5×10-8Torr;95配有全量程真空計,測量范圍為大氣至10×10-9Torr,電離規(guī)測量范圍內(nèi)精度≥讀數(shù)的15%;96配備電容式薄膜規(guī),滿量程≥100mTorr,測量精度≤讀數(shù)的05%;★97至少包含2路氣體(N2、Ar),每一路氣路需配置單獨質(zhì)量流量計;●98質(zhì)量流量控制計:質(zhì)量流量計流量≥200sccm,流量控制精度≤1%(滿量程),重復精度≤015%(滿量程);●99每個腔室配置一臺直流電源,功率≥5KW,最大輸出電流≥6A;910樣品臺帶有背部氬氣冷卻功能;●911樣品臺至少可實現(xiàn)吸附高阻硅-玻璃鍵合片;912通過調(diào)節(jié)冷泵門閥來實現(xiàn)氣壓控制;★913帶有直流電機和控制器,可以在線控制靶材磁鐵的位置和轉動掃描的速度,從而優(yōu)化樣品均勻性;10、設備系統(tǒng)穩(wěn)定性(基于試運行數(shù)據(jù)):●101平均正常運行時間(Uptime)≥90%(不包含例行維護保養(yǎng)時間);