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采購(gòu)內(nèi)容及項(xiàng)目要求（采購(gòu)內(nèi)容及項(xiàng)目要求僅供參考，具體以公開(kāi)招標(biāo)文件為準(zhǔn)）一、項(xiàng)目概況本項(xiàng)目為山東大學(xué)芯片封裝測(cè)試服務(wù)招標(biāo)采購(gòu)。本項(xiàng)目共分為1個(gè)包，投標(biāo)人不得對(duì)包中所投貨物和服務(wù)分解后進(jìn)行響應(yīng)。項(xiàng)目預(yù)算金額為人民幣190萬(wàn)元。二、技術(shù)條款及商務(wù)條款響應(yīng)要求山東大學(xué)服務(wù)采購(gòu)技術(shù)條款響應(yīng)一覽表采購(gòu)人要求（用戶填寫(xiě)）投標(biāo)人（供應(yīng)商）響應(yīng)（投標(biāo)人/供應(yīng)商填寫(xiě)）配置序號(hào)配置名稱詳細(xì)技術(shù)參數(shù)要求數(shù)量數(shù)量應(yīng)答技術(shù)規(guī)格指標(biāo)技術(shù)指標(biāo)偏離情況備注1封裝1封裝總體要求：11封裝尺寸：不大于65*65*5mm；12封裝形式：FCBGA；13球間距：不大于10mm；14基板：16層ABF基板。2封裝類型3458LHMPFCBGA，Multi-PackageModule，內(nèi)部采用FC1die和多顆DRAMpackage合封的多封裝模組。3封裝和表面平面度31封裝尺寸：6500+/-020mm*6500+/-020mm*5006+/-0229mm；32表面平面度：≤0350mm。4DRAM要求41DRAMpackage尺寸要求：長(zhǎng)*寬：427+/-007mm*144+/-007mm，高度≤092mm；43DRAM數(shù)量：8顆；44DRAM容量要求：16GB/顆；45DRAMball球數(shù)量：563；46Ball球尺寸：Φ0215+/-003mm。47ball高度：0145+/-003mm；48共面度要求：008mm；49DRAMSolderball成分:SAC302withNi/Aupads(Sn-3Ag-02Cu)；410DRAMunderfilltype：UA59；411DRAM散熱膠：SE4450；導(dǎo)熱系數(shù)：192W/mk，111BTU/hr-ft-oF。5封裝散熱要求51封裝散熱蓋長(zhǎng)寬尺寸：646+/-005mm*646+/-005mm；52散熱蓋厚度：245+/-005mm；53散熱蓋中心凸臺(tái)厚度：16+/-005mm，中心凸臺(tái)尺寸：256+/-005*291+/-005mm；54散熱蓋避讓DRAM高度：095+/-005mm；55散熱蓋與基板貼合有效寬度：65mm；56散熱蓋1Pin位置倒角：斜倒角，30mm，其他位置外倒角：10mm。內(nèi)倒角：20mm；57散熱蓋粘膠型號(hào)：SE4450，粘膠厚度:01mm，粘度：66Pas，熱固化時(shí)間：30min@150℃，抗拉強(qiáng)度：67Mpa。6基板要求61基板總厚度：1956+/-02mm；62基板層數(shù)：16層，結(jié)構(gòu)7層build-up+2層core+7層build-up；63Pre-solder材料：SAC35，ultralowalpha：≤0002cph/cm2。Pre-solder直徑：25μm~110μm，厚度5μm~30μm，共面度：≤30μm；64表面處理方式：ENEPIG。鎳層厚度：3μm~9μm，鈀層厚度：002μm~006μm，金層厚度：003μm~009μm；65基板Soldermask材料型號(hào)：SR7300GR，厚度：20+/-75μm；66基板Build-up層銅厚：18+/-8μm；67基板Build-up層介質(zhì)材料：ABF-GL102，厚度30+/-6μm；68基板Core層銅厚：22+/-8μm；基板Core層介質(zhì)材料：E-705G，厚度1200+/-120μm；69Build-up層使用激光孔填銅技術(shù)，填孔凹陷度：≤15μm。最大疊孔層數(shù)：≤4層；