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1采購(gòu)需求一總體說(shuō)明1本章所提出的技術(shù)要求是對(duì)本次招標(biāo)貨物及伴隨服務(wù)的基本要求，并未涉及所有技術(shù)細(xì)節(jié)，也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范的全部條款。投標(biāo)人應(yīng)保證其提供的貨物及伴隨服務(wù)除了滿(mǎn)足本技術(shù)要求外，還應(yīng)符合中國(guó)國(guó)家、行業(yè)、地方或設(shè)備制造商所在國(guó)的有關(guān)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范。當(dāng)上述標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范的有關(guān)規(guī)定之間存在差異時(shí)，應(yīng)以要求高的為準(zhǔn)。2本章中提及的工藝、材料、設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)及品牌或型號(hào)（如有）僅起說(shuō)明作用，并沒(méi)有強(qiáng)制性。投標(biāo)人在投標(biāo)中可以用替代工藝、材料、設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)及品牌或型號(hào)，但這種替代須實(shí)質(zhì)上滿(mǎn)足、等同或優(yōu)于本章技術(shù)要求，同時(shí)須提供相關(guān)證明材料，否則可能被評(píng)標(biāo)委員會(huì)認(rèn)定為負(fù)偏離。3除“3技術(shù)要求”外，本章中所列內(nèi)容，均理解為采購(gòu)人可接受的最低要求。4“3技術(shù)要求”的“表31技術(shù)指標(biāo)總表”中標(biāo)記“★”的技術(shù)指標(biāo)為實(shí)質(zhì)性要求，不接受負(fù)偏離，如有負(fù)偏離視為無(wú)效投標(biāo)；未標(biāo)記技術(shù)指標(biāo)根據(jù)評(píng)標(biāo)辦法要求進(jìn)行評(píng)審。5“3技術(shù)要求”中未在“表31技術(shù)指標(biāo)總表”中列出的其他要求，可以在工藝設(shè)計(jì)（或類(lèi)似設(shè)計(jì)過(guò)程中）優(yōu)化調(diào)整，調(diào)整內(nèi)容須經(jīng)采購(gòu)人同意。合同價(jià)格及合同履行期限不因優(yōu)化調(diào)整而變動(dòng)。6中標(biāo)的核心產(chǎn)品的數(shù)量、單價(jià)、規(guī)格等將予以公布。二技術(shù)規(guī)格要求1項(xiàng)目簡(jiǎn)介中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)國(guó)家同步輻射實(shí)驗(yàn)室的合肥先進(jìn)光源（HefeiAdvancedLightFacility-HALF）裝置的定位是一臺(tái)國(guó)際先進(jìn)的基于衍射極限儲(chǔ)存環(huán)的低能區(qū)第四代同步輻射光源。儲(chǔ)存環(huán)能量22GeV，束流水平自然發(fā)射度約86pm?rad，具有國(guó)際同類(lèi)裝置領(lǐng)先水平。原位工況軟X射線(xiàn)譜學(xué)與散射光束線(xiàn)是一條能量在180eV-2500eV范圍內(nèi)的譜學(xué)光束線(xiàn)。位于該光束線(xiàn)末端的近常壓光電子能譜（NAPA）實(shí)驗(yàn)站，主要聚焦于軟X射線(xiàn)能量區(qū)間近常壓環(huán)境下的光電子能譜測(cè)量。該實(shí)驗(yàn)站功能完備，具備近常壓光電子能譜樣品的預(yù)處理能力、可實(shí)現(xiàn)樣品的高精度定位、擁有可靠的溫度控制功能與快速的原位實(shí)驗(yàn)功能，能夠在近常壓環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行原位的結(jié)構(gòu)表征等。此項(xiàng)目招標(biāo)的交付內(nèi)容包括近常壓光電子能譜實(shí)驗(yàn)站真空機(jī)械系統(tǒng)、配套服務(wù)、技術(shù)資料三部分。22需求明細(xì)本項(xiàng)目主體包括：樣品制備腔、進(jìn)樣室、超高真空四維樣品架、高精度三維位移臺(tái)、差抽系統(tǒng)、快速樣品室、分析腔、底座及支架和系統(tǒng)集成等。從光束線(xiàn)末端鏡箱出口法蘭到實(shí)驗(yàn)站末端腔體在工作時(shí)均需要保持超高真空狀態(tài)，其中包含超高真空腔體、真空管路和用于真空獲得、真空測(cè)量和真空保護(hù)的相關(guān)設(shè)備，其中真空閥門(mén)（角閥、插板閥、微漏閥）、真空泵、真空規(guī)等由采購(gòu)人提供。配套服務(wù)包括：實(shí)驗(yàn)站真空機(jī)械系統(tǒng)的設(shè)備集成、設(shè)備的裝調(diào)及測(cè)試方案、現(xiàn)場(chǎng)安裝準(zhǔn)直；現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)收測(cè)試及其他協(xié)助：包括設(shè)備各部件測(cè)試、同步光在線(xiàn)調(diào)試過(guò)程中的必要協(xié)助（包含真空連鎖系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)和控制系統(tǒng)）。技術(shù)資料包括：設(shè)備的三維模型、設(shè)備級(jí)二維裝配圖紙、設(shè)計(jì)報(bào)告、測(cè)試報(bào)告及使用說(shuō)明書(shū)等。表21采購(gòu)清單序號(hào)名稱(chēng)數(shù)量單位1樣品制備腔1套2進(jìn)樣室1套3超高真空四維樣品架1套4高精度三維位移臺(tái)1套5差抽系統(tǒng)1套6快速樣品室5套7分析腔1套8底座及支架1套9系統(tǒng)集成1項(xiàng)33技術(shù)要求及交付內(nèi)容（注：以下所列技術(shù)指標(biāo)如無(wú)特殊約定，均為交付最低指標(biāo)值）圖31NAPA實(shí)驗(yàn)站真空機(jī)械系統(tǒng)結(jié)構(gòu)布局示意圖表31技術(shù)指標(biāo)總表設(shè)備組成技術(shù)指標(biāo)要求樣品制備腔腔體★本底真空度≤5×10-10mbar四維樣品架X/Y行程≥±75mm；Z行程≥75mm；X/Y/Z分辨率≤1μm進(jìn)樣室腔體★本底真空度≤5×10-8mbar超高真空四維樣品架高低溫樣品桿、樣品托組件和溫控組件★樣品處溫度范圍150~1300KX/Y行程≥±125mm；Z行程≥300mm；X/Y重復(fù)定位精度≤1μm高精度三維位移臺(tái)位移臺(tái)X/Y行程≥±75mm★X/Y重復(fù)定位精度≤1μm差抽系統(tǒng)六通腔體★漏率≤5×10-10mbar?l?s-1腔體真空度≤1×10-9mbar快速樣品室主腔體真空度≤5×10-8mbar★漏率≤5×10-10mbar?l?s-1主法蘭面真空度≤5×10-8mbar★漏率≤5×10-10mbar?l?s-1分析腔腔體真空度≤5×10-8mbar4★漏率≤5×10-10mbarls-131設(shè)備以下內(nèi)容對(duì)擬采購(gòu)設(shè)備的主要指標(biāo)和構(gòu)成進(jìn)行了全面描述，供應(yīng)商給出的方案應(yīng)在此框架下進(jìn)行細(xì)化和完善。311NAPA實(shí)驗(yàn)站真空機(jī)械系統(tǒng)的樣品制備腔樣品制備腔用于光電子能譜樣品在超高真空環(huán)境下的制備，包含真空腔體、支架、四維樣品架和電阻加熱系統(tǒng)；腔體整體材質(zhì)為316不銹鋼，所有法蘭接口符合超高真空標(biāo)準(zhǔn)，并且預(yù)留多個(gè)接口，用于氬離子刻蝕等功能模塊擴(kuò)展，其中的支架用于腔體與泵站等組件整體的支撐和姿態(tài)調(diào)節(jié)。NAPA實(shí)驗(yàn)站真空機(jī)械系統(tǒng)樣品制備腔的主要組成部件和關(guān)鍵指標(biāo)參數(shù)如下表所示。表32NAPA實(shí)驗(yàn)站真空機(jī)械系統(tǒng)樣品制備腔主要技術(shù)參數(shù)系統(tǒng)組成技術(shù)指標(biāo)要求數(shù)量NAPA實(shí)驗(yàn)站真空機(jī)械系統(tǒng)樣品制備腔腔體本底真空度≤5×10-10mbar1套四維樣品架1X/Y行程≥±75mm2Z行程≥75mm3X/Y/Z控制方式為步進(jìn)電機(jī)4X/Y/Z分辨率≤1μm1套1樣品桿旋轉(zhuǎn)角度≥±175°2分辨率≤0005°電阻加熱系統(tǒng)可對(duì)旗型樣品加熱和液氮冷卻，K型熱電偶測(cè)溫，PID控溫1樣品處溫度范圍150~1200K1控溫穩(wěn)定性：150~800K溫度范圍，≤±01K2控溫穩(wěn)定性：800~1200K溫度范圍，≤±05KNAPA實(shí)驗(yàn)站真空機(jī)械系統(tǒng)的樣品制備腔在工作時(shí)需要保持超高真空狀態(tài)，其中包含超高真空腔體和用于真空獲得、真空測(cè)量和真空保護(hù)的相關(guān)設(shè)備，其中真空閥門(mén)（角閥、插板閥、微漏閥）、真空泵、真空規(guī)等由采購(gòu)人提供，法蘭口和觀察窗等需按照要求提供。其中需要提供的法蘭口和觀察窗接口如下表所示：