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附件一、基于第三代半導(dǎo)體技術(shù)的高k薄膜沉積設(shè)備研發(fā)技術(shù)需求：針對(duì)第三代半導(dǎo)體器件存在柵極漏電較高、可靠性差等問(wèn)題，開展大尺寸高k介質(zhì)層薄膜沉積技術(shù)研究，研究原子層沉積生長(zhǎng)工藝對(duì)界面特性的調(diào)控機(jī)理，開發(fā)高性能第三代半導(dǎo)體設(shè)備。核心指標(biāo)：開發(fā)12英寸氧化鉿、氧化鋯等高k介質(zhì)層的薄膜沉積工藝，原子層沉積薄膜均勻性小于±2%；第三代半導(dǎo)體氮化鎵晶體管柵極漏電低于1nA，輸出電流密度大于800mA/mm，動(dòng)態(tài)電阻退化低于15%。攻關(guān)周期：不超過(guò)三年榜單金額：最高1500萬(wàn)元二、基于國(guó)產(chǎn)專用設(shè)備生長(zhǎng)低缺陷GaN-on-GaN外延材料及其射頻器件技術(shù)研發(fā)技術(shù)需求：研發(fā)溫度梯度主動(dòng)調(diào)整的國(guó)產(chǎn)化MOCVD設(shè)備，能夠在反應(yīng)腔石墨天棚上方集成獨(dú)立的控溫裝置，實(shí)現(xiàn)軸向（腔體高度方向）的梯度補(bǔ)償，以適應(yīng)工藝變化。研發(fā)基于GaN-on-GaN同質(zhì)材料的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的應(yīng)力與翹曲控制模型，通過(guò)參數(shù)優(yōu)化對(duì)本征應(yīng)力進(jìn)行調(diào)控，緩解外延片龜裂和翹曲。研發(fā)基于GaN-on-GaN同質(zhì)材料的GaN射頻器件與整套芯片工藝，完成同質(zhì)材料外延－器件設(shè)計(jì)－器件芯片工藝開發(fā)與優(yōu)化整套方案設(shè)計(jì)。核心指標(biāo)：（1）MOCVD國(guó)產(chǎn)化率≥90%，溫控精度±03℃、外延層厚度，均勻性≤1%；（2）外延層均勻性±3nm，位錯(cuò)密度≤5×106cm-2；（3）RF-GaNonGaN射頻功率器件@柵長(zhǎng)Lg：03μm；BV≥200V；fT≥457GHz；fMAX≥699GHz。攻關(guān)周期：不超過(guò)三年榜單金額：最高500萬(wàn)元三、先進(jìn)封裝用集成型半導(dǎo)體裝備前端模塊的研發(fā)技術(shù)需求：面向先進(jìn)封裝行業(yè)晶圓減薄拋光集成化工藝的關(guān)鍵技術(shù)需求進(jìn)行半導(dǎo)體裝備前端模塊核心技術(shù)研發(fā)，重點(diǎn)攻克EFEM與高精度激光測(cè)厚及視覺(jué)定位系統(tǒng)的深度集成、高效后清洗模塊與EFEM的無(wú)縫銜接、超薄/厚晶圓的穩(wěn)定傳輸?shù)燃夹g(shù)，為先進(jìn)封裝行業(yè)提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的設(shè)備解決方案。核心指標(biāo)：（1）WPH>50；（2）厚度測(cè)量精度1μm；（3）中心定位精度小于100μm；（4）滿足2000μm硅片傳輸。攻關(guān)周期：不超過(guò)三年榜單金額：最高500萬(wàn)元四、聚泡囊分散體乳膏關(guān)鍵技術(shù)研究及創(chuàng)新藥物開發(fā)技術(shù)需求：以聚泡囊分散體乳膏技術(shù)研發(fā)為核心，攻關(guān)藥物穩(wěn)定性差、皮膚遞送效率低的兩大產(chǎn)業(yè)化“卡脖子”技術(shù)難題，開發(fā)全球首創(chuàng)的高穩(wěn)定性他汀類外用制劑，實(shí)現(xiàn)藥物在真皮層病灶部位的高效富集，為患者提供可及性強(qiáng)、療效確切的變革性治療方案。核心指標(biāo)：（1）他汀類外用制劑產(chǎn)品穩(wěn)定性提升18個(gè)月以上；（2）體外透皮皮膚滯留量≥30μg/g；（3）構(gòu)建他汀外用制劑臨床研究支撐體系，解決臨床研究難題。攻關(guān)周期：不超過(guò)三年榜單金額：最高2000萬(wàn)元五、新型T細(xì)胞銜接器雙特異性抗體研究技術(shù)攻關(guān)技術(shù)需求：篩選高表達(dá)細(xì)胞株，優(yōu)化密碼子使用頻率、引入穩(wěn)定抗體的空間結(jié)構(gòu)，提高蛋白表達(dá)效率和穩(wěn)定性。高效、準(zhǔn)確地識(shí)別和分離出極少數(shù)具有超高表達(dá)能力的細(xì)胞株；外源基因在CHO宿主細(xì)胞中的翻譯效率低下和潛在錯(cuò)誤；雙特異性抗體在表達(dá)、純化、儲(chǔ)存和使用過(guò)程中的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性和聚集傾向。探索核心毒性機(jī)制，研究臨床前安全性評(píng)價(jià)和轉(zhuǎn)化毒理學(xué)。建立藥物系統(tǒng)暴露量（PK）與關(guān)鍵藥效動(dòng)力學(xué)指標(biāo)之間的定量關(guān)系模型，確定最低有效生物學(xué)劑量和最大耐受生物學(xué)劑量；研究關(guān)鍵藥效動(dòng)力學(xué)事件（如T細(xì)胞活化、細(xì)胞因子風(fēng)暴、腫瘤細(xì)胞殺傷）的發(fā)生時(shí)間、峰值時(shí)間、持續(xù)時(shí)間及其與給藥方案的關(guān)系。核心指標(biāo)：（1）篩選高表達(dá)細(xì)胞株，不低于5g/L；（2）確定安全起始劑量，為I期臨床試驗(yàn)提供基于毒理學(xué)數(shù)據(jù)的科學(xué)依據(jù)；（3）明確最佳給藥策略：確定劑量、頻率及輸注方式；（4）建立臨床劑量預(yù)測(cè)模型：通過(guò)PK/PD模擬推算出人體起始劑量及給藥間隔，指導(dǎo)后續(xù)臨床試驗(yàn)設(shè)計(jì)。攻關(guān)周期：不超過(guò)三年榜單金額：最高1500萬(wàn)元六、綠色航空器兆瓦級(jí)高速高功率密度渦輪發(fā)電機(jī)系統(tǒng)研發(fā)技術(shù)需求：開展綠色航空器高速高功率密度兆瓦級(jí)多通道冗余渦輪發(fā)電機(jī)設(shè)計(jì)、損耗抑制與高效串聯(lián)式循油冷卻散熱、高性能多通道SiC控制器并聯(lián)發(fā)電協(xié)同控制、渦輪發(fā)電機(jī)系統(tǒng)數(shù)字仿真建模方法及試驗(yàn)驗(yàn)證等關(guān)鍵技術(shù)研究，開發(fā)樣機(jī)關(guān)鍵制造工藝，完成樣機(jī)研制與性能試驗(yàn)。核心指標(biāo)：（1）渦輪發(fā)電機(jī)系統(tǒng)額定功率1MW；（2）過(guò)載功率不低于11MW，持續(xù)時(shí)間不小于60s；（3）發(fā)電機(jī)額定功率密度不小于7kW/kg，控制器額定功率密度不小于15kW/kg；（4）額定轉(zhuǎn)速21000r/min，最高轉(zhuǎn)速23000r/min；（5）冷卻方式：國(guó)產(chǎn)4050滑油冷卻，流量不大于70L/min，滑油進(jìn)口溫度不大于50℃；（6）渦輪發(fā)電系統(tǒng)效率不小于90%；（7）電壓范圍：750~1050VDC，控制精度：±1%。攻關(guān)周期：不超過(guò)三年榜單金額：最高500萬(wàn)元