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一貨物需求一覽表注：投標人須對上述投標內(nèi)容中完整的一包進行投標，不完整的投標將視為非響應(yīng)性投標予以拒絕。二、具體要求：一）主要用途反應(yīng)離子束刻蝕機，采用RF型離子源系統(tǒng)，通過射頻電源控制工藝氣體激發(fā)，形成等離子體。反應(yīng)離子束刻蝕機標配氣體滿足不同的材料刻蝕需求，如介介質(zhì)材料(至少包含Si02，SiNx，SiC），非揮發(fā)材料(至少包含Pt，Au，Ag，I，NiRe)，鐵電材料(至少包含PZT，LiNbO3，BTO（BaTiO3），SBT)，，適用于閃耀光柵、斜齒光柵等工藝需求，適用于科研等領(lǐng)域。二）技術(shù)要求：▲1反應(yīng)腔室：腔室極限真空：＜7×10-7Torr，反應(yīng)腔室材質(zhì)為全不銹鋼材質(zhì)制造，內(nèi)部安裝有易拆卸替換的專用襯板；2腔室漏氣率：≤1mTorr/min；3典型工藝真空范圍：02～1mTor；真空系統(tǒng)配置渦輪分子泵（最大抽速≥2100L/s，）和干式機械泵（最大抽速600m3/h，）兩級真空泵組；▲4下電極可自轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速范圍：0～20rpm可調(diào)；★5樣品臺與離子束角度可調(diào)節(jié)，下電極轉(zhuǎn)動角度范圍：-90°～+80°，精度±01°；樣品臺可實現(xiàn)單片200mm基片裝載；▲6載片臺由專用的冷水機冷卻，載片臺和基片之間設(shè)有背He氣體冷卻裝置。冷水機：控包號貨物名稱數(shù)量簡要技術(shù)規(guī)格是否允許采購進口產(chǎn)品最高限價1反應(yīng)離子束刻蝕機1套反應(yīng)離子束刻蝕機，采用RF型離子源系統(tǒng)，通過射頻電源控制工藝氣體激發(fā)，形成等離子體。反應(yīng)離子束刻蝕機標配氣體滿足不同的材料刻蝕需求，如介介質(zhì)材料(至少包含Si02，SiNx，SiC），非揮發(fā)材料(至少包含Pt，Au，Ag，I，NiRe)，鐵電材料(至少包含PZT，LiNbO3，BTO（BaTiO3），SBT)，，適用于閃耀光柵、斜齒光柵等工藝需求，適用于科研等領(lǐng)域。否630萬元溫范圍0—90°C；★7離子源：配有不小于220mm口徑的RF型射頻離子源，離子束電流范圍：0～1000mA；包含中和器；★8離子束能量范圍：100～1000eV；★9射頻電源：不低于1000W；▲10加速電壓范圍：0～1000V；▲11中和器電流范圍：0～1500mA；12中和器形式：燈絲中和；★13氣路配置：標配7路：Ar(工藝)、O2、N2、CHF3、CF4、SF6、Ar（中和），預留2路擴展；▲14裝載方式:采用Loadlock傳輸腔裝載，進樣室能夠一次完成一片最大直徑8英寸晶圓的自動傳輸；配置有進樣室專用的干式機械泵（最大抽速≥110m3/h，）。配置氮氣氣路，用于進樣室充氣；15工藝能力：151刻蝕材料:介質(zhì)材料(至少包含Si02，SiNx，SiC），非揮發(fā)材料(至少包含Pt，Au，Ag，I，NiRe)，鐵電材料(至少包含PZT，LiNbO3，BTO（BaTiO3），SBT)，斜齒光柵，閃耀光柵；★152刻蝕線寬:機臺的微納加工能力，可以加工最小CD（關(guān)鍵尺寸：刻蝕圖形如果為槽，則為槽的寬度，如果為孔則為孔的直徑，）50nm及以下；提供SEM證明★153圖形化能力；斜光柵和閃耀光柵，根據(jù)典型值提供SEM圖片證明MaterialItemSpecSiO2（blanket），8英寸SiO2etchrate/刻蝕速率>200A/min（此項僅需提供蓋章證明）SiO2NU/不均勻性(49點極差法，去邊8mm,帶自轉(zhuǎn)的基礎(chǔ)菜單)≤5%（WIW，1σ法，EE8mm）≤3%（WTW，1σ法，EE8mm）≤3%（RTR，1σ法，EE8mm）SiO2閃耀光柵Pitch/光柵周期與光刻前值偏差≤±5%(典型值取385nm)Blazeangle/閃耀角25°~45°，典型值可取30°±3°Anti-Blazeangle/反閃耀角60°~80°直角閃耀光柵90°±5°Height光柵高度典型值需≥200nm±5%SiO2傾斜光柵Slantangle/傾斜角(側(cè)壁與底面夾角)45°-90°，典型值可取60°Pitch/光柵周期與光刻前值偏差≤±5%(典型值取285nm，占空比不低于05)光柵Height典型值400nm，偏差≤±5%(@傾斜角度偏差60°≤±3,光柵CD100nm，周期285nm)光柵CD典型值100nm，偏差≤±5%（@傾斜角偏差60°≤±3°，高度400nm，周期285nm)光柵轉(zhuǎn)角半徑（R值）≤20nm側(cè)壁平行度≤±5°（@傾斜角45°）Footing無SiC傾斜光柵Slantangle/傾斜角(側(cè)壁與底面夾角)45°-90°，典型值可取60°Pitch/光柵周期與光刻前值偏差≤±5%(典型值取250nm，占空比不低于05)光柵Height200nm，偏差≤±5%（@傾斜角度偏差60°≤±3°，光柵CD100nm，周期250nm)光柵CD100nm，偏差≤±5%（@傾斜角偏差60°≤±3°，高度200nm，周期250nm）光柵轉(zhuǎn)角半徑（R值）≤20nm側(cè)壁平行度≤±5°（@傾斜角60°）Footing≤20%（占比典型光柵高度：100nm，200nm）▲16控制/軟件要求：?配置操作系統(tǒng)硬件，版本不低于Win7；?軟件系統(tǒng)質(zhì)保期內(nèi)免費升級；?自動工藝：基于編程控制的自動控制系統(tǒng)；?手動控制：可通過軟件對機臺進行臨時手動操作；?故障響應(yīng)：具備系統(tǒng)故障遠程診斷功能；?報警管理：具備安全自檢及自我保護功能，通過軟件判斷；?狀態(tài)監(jiān)控：重要參數(shù)的實時變化監(jiān)控，輔助用戶分析和監(jiān)測；?自動記錄：設(shè)備工作參數(shù)日志自動記錄功能；?權(quán)限管理：用戶分級管理功能；?配方管理：支持多工藝配方進行創(chuàng)建、刪除、修改等操作；?參數(shù)管理：分級查看、修改工藝參數(shù)；?設(shè)備維護：重要部件的生命周期管理。★17、配置清單及零配件（包括專用工具）：（本條在投標文件中應(yīng)提供應(yīng)答承諾，不用提供彩頁等證明資料）序號名稱單位數(shù)量1離子刻蝕機主機套12干泵臺13水冷機臺14分子泵臺15預真空室干泵臺16備品備件、耗材及專用工具：Mo柵網(wǎng)、石墨柵網(wǎng)；腔室換洗內(nèi)襯、離子源換洗部件、觀察窗及觀察窗擋板、密封圈、銅墊以及專用工具套1三、質(zhì)保及售后服務(wù)：1★設(shè)備安裝調(diào)試的時間：供應(yīng)商須確保在到貨后15個工作日內(nèi)，保質(zhì)保量完成所提供全部設(shè)備的安裝、調(diào)試及投入運行。（本條在投標文件中應(yīng)提供應(yīng)答承諾，不用提供彩頁等證明資料）2技術(shù)培訓：中標供應(yīng)商須安排工程師對用戶現(xiàn)場培訓，培訓地點為用戶指定地點，內(nèi)容包