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第三章技術(shù)文件1、項(xiàng)目說明11項(xiàng)目簡(jiǎn)介中國(guó)散裂中子源二期（CSNS-II）工程作為散裂中子源的延續(xù)和提升，將進(jìn)一步擴(kuò)展探針獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)超寬振動(dòng)能譜和超高能量分辨，開展凝聚態(tài)物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)和動(dòng)力學(xué)的原位、高精度測(cè)量，為材料科學(xué)技術(shù)、凝聚態(tài)物理、化學(xué)化工、資源環(huán)境、新能源、生命科學(xué)等領(lǐng)域的前沿研究和高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用提供強(qiáng)有力手段，促進(jìn)在上述領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破。逆幾何分子振動(dòng)譜儀(iMovies)是CSNS-II工程中規(guī)劃建設(shè)的譜儀之一，是基于中子非彈性散射，主要用于研究材料的中子振動(dòng)光譜（NVS）。計(jì)劃建設(shè)成具有高通量和高能量分辨率，能滿足國(guó)內(nèi)外現(xiàn)在及未來在中子振動(dòng)譜學(xué)研究需求的中子振動(dòng)譜儀。NVS可以得到樣品的分子結(jié)構(gòu)、化學(xué)鍵、分子間的振動(dòng)等信息。廣泛應(yīng)用于清潔能源、催化劑、聚合物/醫(yī)藥、物理、地球/環(huán)境科學(xué)等，研究的是材料本征的分子動(dòng)力學(xué)和反應(yīng)動(dòng)力學(xué)機(jī)制。分析器系統(tǒng)是逆幾何分子振動(dòng)譜儀的關(guān)鍵部件。中子經(jīng)過分析器的布拉格衍射（2dsinθ=λ）中子經(jīng)過單色化之后，達(dá)到探測(cè)器，通過計(jì)算獲得中子經(jīng)過樣品散射之后的能量損失，從而得到材料的中子振動(dòng)光譜。分析器系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是譜儀分辨率優(yōu)化的關(guān)鍵，分析器被設(shè)計(jì)成雙曲面。分析器系統(tǒng)由14套分析器模塊組成，每個(gè)模塊由444片長(zhǎng)寬高為12mm*12mm*2mm的分析晶體拼接而成，這444片分析晶體粘接在分析晶體基座上，分析晶體基座是由B4C質(zhì)量分?jǐn)?shù)約為31%的硼鋁合金加工而成。每片分析晶體的表面中心都有獨(dú)立的坐標(biāo)，因此需要在分析晶體基座制作出相應(yīng)的444個(gè)位置。因?yàn)榉治銎飨到y(tǒng)直接影響光路，因此要求分析器分析晶體基座外輪廓加工精度不低于004mm，分析晶體粘接精度不低于005mm。本項(xiàng)目主要內(nèi)容：采購(gòu)人負(fù)責(zé)提供所需的分析晶體基座的設(shè)計(jì)參數(shù)、444片分析晶體的坐標(biāo)參數(shù)、及分析晶體粘貼的技術(shù)指標(biāo)和參數(shù)，此外采購(gòu)人還提供分析晶體和分析晶體基座所用的硼鋁合金基材。投標(biāo)人負(fù)責(zé)根據(jù)采購(gòu)人提供的技術(shù)指標(biāo)和參數(shù)進(jìn)行分析晶體基座加工及分析晶體粘貼的工藝設(shè)計(jì)、加工制作、粘貼、檢測(cè)、出廠驗(yàn)收、包裝運(yùn)輸及保險(xiǎn)等，以及協(xié)助采購(gòu)人對(duì)粘貼分析晶體后的分析晶體基座的安裝、測(cè)試、和最終驗(yàn)收，并提供售后服務(wù)。12采購(gòu)需求本次招標(biāo)將對(duì)CSNS-II逆幾何分子振動(dòng)譜儀分析晶體基座加工及分析晶體粘貼進(jìn)行整體招標(biāo)，共需要采購(gòu)14套分析晶體基座加工及分析晶體粘貼。13采購(gòu)人提供的條件采購(gòu)人負(fù)責(zé)提供所需的分析晶體基座的設(shè)計(jì)參數(shù)、444片分析晶體表面中心的坐標(biāo)參數(shù)、及分析晶體粘貼的技術(shù)指標(biāo)和參數(shù)，此外采購(gòu)人還提供分析晶體和分析晶體基座所用的硼鋁合金基材。14采購(gòu)人提供相關(guān)使用文件采購(gòu)人提供的所有文件的要求中，若投標(biāo)人發(fā)現(xiàn)任何矛盾或問題，應(yīng)及時(shí)以書面形式通知采購(gòu)人，采購(gòu)人所作的修改或決定將以書面形式通知投標(biāo)人。投標(biāo)人對(duì)本技術(shù)說明細(xì)節(jié)若有不清楚之處，采購(gòu)人在合同生效后，可以提供補(bǔ)充技術(shù)說明。如投標(biāo)人未及時(shí)提出，則本技術(shù)協(xié)議或采購(gòu)人提供的其他文件中一切描述不詳或歧義而造成的返工、改造等費(fèi)用全部由投標(biāo)人承擔(dān)，造成設(shè)備延期交付的責(zé)任由投標(biāo)人承擔(dān)。2、技術(shù)要求21分析晶體基座加工及分析晶體粘貼主要技術(shù)指標(biāo)逆幾何分子振動(dòng)譜儀分析晶體基座加工及分析晶體粘貼的主要參數(shù)及技術(shù)指標(biāo)見表2-1：表2-1分析晶體基座加工及分析晶體粘貼主要技術(shù)指標(biāo)序號(hào)項(xiàng)目技術(shù)指標(biāo)備注1★分析晶體基座外輪廓加工精度≤004mm2★加工完成后各面平面度≤0005mm3★所有平面與理論平面的最大累積偏差≤002mm4粘貼膠水中混合10B4C含量（質(zhì)量分?jǐn)?shù)）≥25%5★分析晶體粘貼上表面與理論平面的最大偏差≤005mm6★分析晶體完成粘貼所需晶體的最大數(shù)量≤6600片實(shí)際需求6216片注：表中所列帶★的技術(shù)要求均不允許負(fù)偏離，否則將被視為無效投標(biāo)文件而被否決。22分析晶體基座加工及分析晶體粘貼主要設(shè)計(jì)逆幾何分子振動(dòng)譜儀分析晶體系統(tǒng)主要由14套分析器模塊組成，單個(gè)分析器模塊被設(shè)計(jì)成曲面，需要粘貼444個(gè)12mm×12mm大小的分析晶體，其設(shè)計(jì)見圖2-1，其中單個(gè)分析器支架上需要制作出444個(gè)12mm×12mm大小的平面位置供分析晶體粘貼用。圖2-1：14套分析器模塊組裝圖以及單個(gè)分析器支架示意圖221分析晶體基座加工分析晶體基座共有14個(gè)，材質(zhì)為硼鋁合金（B4C質(zhì)量分?jǐn)?shù)約為31%），由采購(gòu)人提供原料板材，中標(biāo)人負(fù)責(zé)加工到技術(shù)要求精度，如圖2-2所示為分析晶體基座的示意圖，單個(gè)基座需要加工出444個(gè)平面，尺寸為12×12mm，單個(gè)平面度需≤0005mm，每個(gè)平面均帶有不同的角度，需要根據(jù)附件提供的坐標(biāo)參數(shù)建立理論平面，理論平面為分析晶體的上表面，加工平面需減去分析晶體的厚度（2mm），形成三維模型后進(jìn)行數(shù)控加工，所有平面與理論平面的最大累積偏差≤002mm。加工平面的讓刀槽需盡量小，滿足采購(gòu)人的需求，同時(shí)作為溢膠槽?；牡酌嫘枰庸みB接螺孔，具體接口需要與采購(gòu)人溝通后確定，并對(duì)整體進(jìn)行減薄減輕加工處理，需保證不影響整體強(qiáng)度及確認(rèn)接口尺寸。圖2-2：?jiǎn)蝹€(gè)分析器模塊加工細(xì)節(jié)示意圖222分析晶體粘貼分析晶體的尺寸約為12×12×2mm，尺寸存在一定的偏差，需根據(jù)基座上平面的偏差情況，選擇不同的分析晶體，即基座上每個(gè)平面的偏差情況均需要在三坐標(biāo)上測(cè)量。采購(gòu)人提供分析晶體的總量≤6600片，實(shí)際需求為6216片，將分批次提供，如果損耗率較大，超出總量部分將由投標(biāo)人負(fù)責(zé)支付相應(yīng)的采購(gòu)費(fèi)用。先對(duì)分析晶體進(jìn)行刷膠再貼到基座，膠水需混合10B4C含量（質(zhì)量分?jǐn)?shù)）≥25%，膠水厚度需與采購(gòu)人溝通后確定，滿足實(shí)用需求。粘貼的分析晶體需施加一定的壓力，可以手動(dòng)或者機(jī)械工裝壓緊，將膠水的空氣排出。23分析晶體基座加工及分析晶體粘貼結(jié)果的檢測(cè)要求分析晶體基座加工及分析晶體粘貼檢測(cè)都由投標(biāo)人負(fù)責(zé)，檢測(cè)項(xiàng)目包括但不