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1采購需求一總則11本技術(shù)規(guī)格所提出的要求是對(duì)本次招標(biāo)貨物的基本技術(shù)要求，并未涉及所有技術(shù)細(xì)節(jié)，也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范的全部條款。投標(biāo)人應(yīng)保證其提供的貨物除了滿足本技術(shù)規(guī)格的要求外，還應(yīng)符合中國國家、行業(yè)、地方或設(shè)備制造商所在國的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范（尤其是必須符合中國國家標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)強(qiáng)制性規(guī)定)。12本技術(shù)規(guī)格中提及的工藝、材料、設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)及參考品牌或型號(hào)（如有）僅起說明作用，并沒有強(qiáng)制性。投標(biāo)人在投標(biāo)中可以用替代工藝、材料、設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)及品牌或型號(hào)，但這種替代須實(shí)質(zhì)上滿足、等同或優(yōu)于本技術(shù)規(guī)格的要求，否則其投標(biāo)無效。13中標(biāo)的主要產(chǎn)品的數(shù)量、單價(jià)、規(guī)格等將予以公布。二采購范圍序號(hào)標(biāo)的名稱單位數(shù)量備注1電感耦合等離子刻蝕機(jī)1臺(tái)1每套至少包含1個(gè)傳輸平臺(tái)和1個(gè)工藝腔室，用于刻蝕Nb2電感耦合等離子刻蝕機(jī)2臺(tái)1每套至少包含1個(gè)傳輸平臺(tái)和1個(gè)工藝腔室，用于刻蝕Si3N4/SiO23電感耦合等離子刻蝕機(jī)3臺(tái)1每套至少包含1個(gè)傳輸平臺(tái)和1個(gè)工藝腔室，用于刻蝕Au4電感耦合等離子刻蝕機(jī)4臺(tái)1每套至少包含1個(gè)傳輸平臺(tái)和1個(gè)工藝腔室，用于刻蝕III-V族5電感耦合等離子刻蝕機(jī)5臺(tái)1每套至少包含1個(gè)傳輸平臺(tái)和1個(gè)工藝腔室，用于刻蝕LN三技術(shù)要求31標(biāo)識(shí)符號(hào)標(biāo)識(shí)類型標(biāo)識(shí)符號(hào)標(biāo)識(shí)符號(hào)含義實(shí)質(zhì)性參數(shù)★負(fù)偏離或未響應(yīng)視為實(shí)質(zhì)性不響應(yīng)招標(biāo)文件要求重要參數(shù)●重要技術(shù)指標(biāo)，根據(jù)評(píng)分辦法中相關(guān)要求進(jìn)行評(píng)審一般參數(shù)無標(biāo)識(shí)一般技術(shù)指標(biāo)，根據(jù)評(píng)分辦法中相關(guān)要求進(jìn)行評(píng)審2注：標(biāo)識(shí)條款中如包含多條子項(xiàng)技術(shù)參數(shù)或要求，則需滿足或優(yōu)于該標(biāo)識(shí)條款內(nèi)所有子項(xiàng)技術(shù)參數(shù)或要求方能得分。32技術(shù)要求321電感耦合等離子刻蝕機(jī)1：用于鈮材料刻蝕3211真空反應(yīng)室★（1）樣品尺寸：12英寸；●（2）腔室本底真空度<05mTorr，腔室漏率<35mTorr/min；（3）腔室內(nèi)氣壓控制范圍涵蓋5~20mTorr；★（4）下電極配置靜電卡盤和背氦冷卻；控溫范圍涵蓋-20℃~80℃；★（5）配備終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，用于刻蝕終點(diǎn)的檢測(cè)。3212等離子體系統(tǒng)★（1）上電極額定功率：≥5kW（頻率1356MHz）；★（2）偏壓發(fā)生器額定功率：≥5kW（2MHz）、≥3kW（1356MHz）；●（3）匹配穩(wěn)定時(shí)間≤3s；（4）射頻功率精確度：≤1%（設(shè)定值＞500W時(shí)）或≤5W（設(shè)定值≤500W時(shí)）。3213氣路輸送系統(tǒng)●（1）包含至少以下工藝氣體：Ar/N2/O2/Cl2/BCl3/CH4/HBr/CHF3/CF4/CH2F2/CH3F/SF6；（2）每路工藝氣路均配置質(zhì)量流量計(jì)MFC，漏率≤05mTorr/min。3214排氣系統(tǒng)★（1）高真空泵：分子泵抽速≥3000L/s；（2）腔室配備真空計(jì)檢測(cè)壓力。3215溫度控制系統(tǒng)（1）反應(yīng)腔室壁控制：涵蓋室溫~60℃。3216軟件控制模塊（1）控制系統(tǒng)采用客戶機(jī)-服務(wù)器結(jié)構(gòu)，每個(gè)組件都具備獨(dú)立的控制器，系統(tǒng)通過遠(yuǎn)3程現(xiàn)場控制器RFC、對(duì)全部組件進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控；（2）可通過互聯(lián)網(wǎng)連接設(shè)備各個(gè)組件、進(jìn)行遠(yuǎn)程診斷和遠(yuǎn)程服務(wù)；★（3）提供管理員、工藝工程師、設(shè)備工程師、操作員四種用戶權(quán)限，并且可以根據(jù)用戶要求調(diào)整權(quán)限，可以對(duì)工藝配方、機(jī)臺(tái)參數(shù)、報(bào)警、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)進(jìn)行查看編輯，并具有自動(dòng)記錄功能。3217電源系統(tǒng)配置UPS，支持?jǐn)嚯姾蟆?0min繼續(xù)工作。3218自動(dòng)化傳送及對(duì)位系統(tǒng)●（1）配置雙臂機(jī)械手，支持自動(dòng)上下料，傳送精度≤005mm，支持12英寸晶圓的傳送；★（2）支持晶圓厚度涵蓋500~1200μm；（3）需配備晶圓預(yù)對(duì)位系統(tǒng)，位移偏差值±05mm；（4）自動(dòng)傳送晶圓破片比例≤1/5000；（5）允許晶圓翹曲±500μm@12英寸；（6）Loadport≥2個(gè)。3219配套附件（1）設(shè)備配置緊急停止開關(guān)、具備完善的安全互鎖功能；（2）備品備件包：隨機(jī)備品備件/工具清單及用于保修期后一年的備品備件包，投標(biāo)人需在投標(biāo)文件中提供詳細(xì)的備品備件清單、列出單價(jià)；（3）設(shè)備交付時(shí)，中標(biāo)人至少提供相應(yīng)電子版資料，包括設(shè)備說明書、操作維護(hù)手冊(cè)及出廠質(zhì)檢合格證等。★32110工藝性能指標(biāo)（1）刻蝕均勻性片內(nèi)≤3%；（2）刻蝕均勻性片間≤3%；（3）最大刻蝕膜厚度：≥1μm；4（4）刻蝕傾角≥75°；（5）側(cè)壁粗糙度≤20nm；（6）刻蝕選擇比（Nb/SiO2）≥2:1。322電感耦合等離子刻蝕機(jī)2：用于Si3N4/SiO2材料刻蝕3221真空反應(yīng)室★（1）樣品尺寸：12英寸；●（2）腔室本底真空度<05mTorr，腔室漏率<35mTorr/min；（3）腔室內(nèi)氣壓控制范圍涵蓋5~20mTorr；★（4）下電極配置靜電卡盤和背氦冷卻；控溫范圍涵蓋20℃~80℃；★（5）配備終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，用于刻蝕終點(diǎn)的檢測(cè)。3222等離子體系統(tǒng)★（1）上電極額定功率：≥5kW（頻率1356MHz）；★（2）偏壓發(fā)生器額定功率：≥5kW（2MHz）、≥3kW（1356MHz）；●（3）匹配穩(wěn)定時(shí)間≤3s；（4）射頻功率精確度：≤1%（設(shè)定值＞500W時(shí)）或≤5W（設(shè)定值≤500W時(shí)）。3223氣路輸送系統(tǒng)●（1）包含至少以下工藝氣體：Ar/N2/O2/CHF3/CF4/CH2F2/CH3F/C4F8/C4F6/SF6/NF3；（2）每路工藝氣路均配置質(zhì)量流量計(jì)MFC，漏率≤05mTorr/min。3224排氣系統(tǒng)★（1）高真空泵：分子泵抽速≥3000L/s；（2）腔室配備真空計(jì)檢測(cè)壓力。3225溫度控制系統(tǒng)（1）反應(yīng)腔室壁控制：涵蓋室溫~60℃。3226軟件控制模塊（1）控制系統(tǒng)采用客戶機(jī)-服務(wù)器結(jié)構(gòu)，每個(gè)組件都具備獨(dú)立的控制器，系統(tǒng)通過遠(yuǎn)程現(xiàn)場控制器RFC、對(duì)全部組件進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控；