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第三章采購需求不滿足任意帶“★”要求，投標將被拒絕一、技術要求（一）基礎參數(shù)★1工藝類型12nm1P13M工藝；△2全芯片CoreDevice電壓08V；△3SMIC12nm工藝庫基本單元Vt閾值類型包含SVT/LVT/ULVT三種；△4SMIC12nm工藝基本單元采用track9T工藝；△5可靠性滿足-40℃~125℃溫度循環(huán)測試?！?良率滿足試產(chǎn)加工良率≥60%。（二）Die信息#1Die尺寸小于250mm2△2Die主頻不小于800MHz△3Die物理規(guī)則檢查滿足單粒子閂鎖閾值LET≥37MeV·cm2/mg和總劑量≥100krad（Si）的抗輻照指標要求；（三）晶圓信息#1流片采用12英寸晶圓，★2交付晶圓數(shù)量40片；（四）代工服務保障△1前期設計銜接服務：開展版圖設計合規(guī)性檢查，規(guī)避工藝兼容性風險；簽訂IP與數(shù)據(jù)保密協(xié)議。#2GDS與MPW專項服務：提供GDSmerge支持；負責MPW拼版操作，完成全windowGDS物理檢查，確保版圖合規(guī)性，拼版版圖物理規(guī)則檢查需要達標加工廠要求，承諾履約時提供原始檢查報告?！?封裝銜接專項服務：提供封裝所需的上三層partialGDS文件；輸出拼版后shot的bump坐標；交付shotmap文件（標注shot排列、良片位置），同步提供die間距、劃片槽尺寸等封裝關鍵參數(shù)?！?全流程管控：提供流片進度表，包括GDS數(shù)據(jù)審核、掩膜制作、晶圓生產(chǎn)、掩膜完工、晶圓投片、測試啟動等關鍵節(jié)點時間，設立異常預警機制，實際生產(chǎn)和流片進度表偏差超過24小時，需實時響應采購人。#5Foundry協(xié)作支持：配合完成集成電路晶圓代工廠提供的流片信息輸入表（如工藝參數(shù)、測試標準）的填寫與確認；協(xié)助整理所有PV報告（含DRC、LVS、ERC）并上傳至foundry，根據(jù)反饋48小時內完成PV修改閉環(huán)。二、其他要求（一）質保期：1投標人應明確承諾：質量保證期1年，流片過程如果因為投標人跟進并響應集成電路晶圓代工廠要求不及時或錯誤導致的無法流片、晶圓加工異常導致的流片失敗問題，投標人須無償協(xié)調集成電路晶圓代工廠及采購人完成問題定位，并承擔此次流片加工及晶圓故障定位測試等費用。（二）交付要求：1合同簽訂之日起12個月內交付40片晶圓。2服務地點：北京理工大學中關村校區(qū)（三）售后服務要求1電話咨詢投標人應當為采購人提供技術援助電話，解答采購人在使用中遇到的問題，及時為采購人提出解決問題的建議。2現(xiàn)場響應采購人遇到使用及技術問題，提供7×24小時服務，需現(xiàn)場解決的問題，投標人應在24小時內到達現(xiàn)場解決問題。3技術升級在質保期內，如果投標人的產(chǎn)品技術升級，投標人應及時通知采購人，如采購人有相應要求，投標人應對采購人購買的產(chǎn)品進行升級服務。三、驗收要求完成流片服務后，按照招標文件要求、投標文件響應情況，采購人組織進行驗收并形成驗收結論。