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北京理工大學后端設計服務采購公開招標公告25-605采購需求.pdf

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北京市 2025-12-04 39.5KB 業(yè)主：北京理工大學
內(nèi)容簡介

一、項目概況微波成像芯片采用先進的SMIC12nm工藝并具有多個高速數(shù)據(jù)接口，接口速率超過25Gbps，芯片邏輯規(guī)模超過2億門，CPU主頻超過08GHz，需要委托具有后端設計能力及抗輻照經(jīng)驗的后端物理設計團隊進行后端布局布線設計工作。二、技術(shù)要求1★Process工藝類型：SMIC12nm1P13M工藝；2全芯片面積不超320mm2；3★總線主頻：WorstCorner（072V125℃）不小于800MHz；4處理器（CPU）主頻：WorstCorner（072V125℃）不小于800MHz；5提供SMIC12nm工藝下抗輻照高速DDR4模塊的后端設計工作；6提供SMIC12nm工藝下抗輻照高速接口模塊（至少支持SRIO、PCIE、XGMAC中的一種）的后端設計工作；7提供滿足FlipChip封裝RDL要求的bump間距文件；8提供滿足FlipChip封裝仿真需要的die的IBIS模型文件；9提供滿足FlipChip封裝UBM設計需要的上三層的partialGDS文件；10★實現(xiàn)全芯片后端網(wǎng)表和前端綜合網(wǎng)表在Func功能模式下形式化驗證通過；11實現(xiàn)全芯片后端網(wǎng)表和PostDFT網(wǎng)表在

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