中國科學院上海技術(shù)物理研究所原位調(diào)控近平衡態(tài)低缺陷晶體生長系統(tǒng)采購項目競爭性磋商文件采購編號:OITC-G250303077東方國際招標有限責任公司2025年11月競爭性磋商文件1目錄磋商邀請書第一部分:供應商須知前附表第二部分:供應商須知第三部分:合同一般條款及特殊條款第四部分:磋商響應文件格式第五部分:采購需求競爭性磋商文件2第五部分:采購需求貨物需求一覽表包號貨物名稱數(shù)量交貨期項目現(xiàn)場(交貨地點)1原位調(diào)控近平衡態(tài)低缺陷晶體生長系統(tǒng)1套合同生效后2個月內(nèi)用戶指定地點注:交貨期從合同生效之日起計算,以設備在用戶指定地點完成安裝調(diào)試日期為準。質(zhì)保期從驗收合格之日起計算。競爭性磋商文件3技術(shù)規(guī)格第1包原位調(diào)控近平衡態(tài)低缺陷晶體生長系統(tǒng)(一)綜述:1貨物名稱:原位調(diào)控近平衡態(tài)低缺陷晶體生長系統(tǒng)2數(shù)量:1套3交貨期:合同生效后2個月內(nèi)4質(zhì)保期:安裝運行驗收合格后免費質(zhì)保1年(二)計量標準設備的設計和制造符合出廠技術(shù)指標要求,并符合ISO國際標準;所有的可更換零部件和各種儀表的計量單位和標出單位應全部采用國際單位(SI)標準;設備符合有關(guān)國際和中國國家安全標準,以及相應的安全與健康及環(huán)保要求。(三)技術(shù)要求★1核心技術(shù)指標:★11晶體生長直徑:≥6英寸;★12溫度控制精度:優(yōu)于01℃;★13最高使用溫度:≥1200℃;★14非晶相缺陷尺寸:≤2μm。2其它技術(shù)指標:#21本臺設備有總共5個晶體生長工位;22每個生長工位的溫場結(jié)構(gòu)要求如下:#221爐膛內(nèi)徑:≥270mm;222恒溫區(qū)一:1115±3℃/400mm;223恒溫區(qū)二:850±2℃/200mm;#224爐體長度:有效加熱長度≥900mm;225使用溫度:1130℃下連續(xù)工作時間不低于30天;226生長方式:VGF控制方式,可生長晶體長度≥200mm;
附件2:上海外國語大學松江語言數(shù)據(jù)與人工智能大學生創(chuàng)新實踐基地修繕項目需求書(1)(1).docx
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