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第五章采購(gòu)需求一、貨物需求一覽表包號(hào)設(shè)備名稱數(shù)量單位★是否允許采購(gòu)進(jìn)口產(chǎn)品主要用途1光學(xué)介質(zhì)薄膜沉積設(shè)備1套不允許本設(shè)備主要用于氮化硅（SiNx）等介質(zhì)光學(xué)薄膜的沉積。通過(guò)本設(shè)備的采購(gòu)，可在實(shí)驗(yàn)室目前薄膜沉積能力（金屬薄膜為主）基礎(chǔ)上，新增高質(zhì)量介質(zhì)薄膜沉積能力（薄膜厚度不均勻度≤5%），突破當(dāng)前光學(xué)介質(zhì)薄膜工藝對(duì)研發(fā)能力的限制，支撐平面介質(zhì)超表面的高精度加工，提升實(shí)驗(yàn)室在高精度微納光子制造領(lǐng)域的核心能力。本設(shè)備主要由化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室系統(tǒng)、射頻系統(tǒng)、傳輸模塊、真空系統(tǒng)及氣路系統(tǒng)等部分系統(tǒng)組成二、光學(xué)介質(zhì)薄膜沉積設(shè)備技術(shù)要求1技術(shù)要求11設(shè)備要求★111、設(shè)備最大支持8英寸晶圓沉積，可向下兼容；主要用于沉積SiNx、SiO2；112、反應(yīng)室系統(tǒng)：?jiǎn)吻粏纹浇Y(jié)構(gòu)，配備1個(gè)工藝腔室，配置觀察窗口。平行板電極結(jié)構(gòu)；腔室極限真空≤20mTorr，漏率≤3mTorr/min，最高工藝溫度400℃，溫度穩(wěn)定性±1℃；★113、下電極與勻氣盤(pán)的間距：下電極和勻氣盤(pán)的間距可以覆蓋10mm-20mm并自動(dòng)調(diào)節(jié)；★114、沉積時(shí)工藝溫度200℃-400℃，溫度穩(wěn)定性＜±3℃；★115、射頻系統(tǒng)：腔室配備高頻射頻系統(tǒng)；高頻功率源頻率1356MHz，功率不低于1000W；116、傳輸模塊：配置loadlock腔室，可實(shí)現(xiàn)傳送腔到工藝腔自動(dòng)傳送，loadlock腔配有干泵；117、真空及氣路系統(tǒng):配備進(jìn)口Inficon真空計(jì)或同等品牌真空計(jì)；氣路管閥標(biāo)準(zhǔn)配置支持7路工藝氣體SiH4、N2O、NH3、CF4、Ar、N2、O2，每路氣體配置獨(dú)立的質(zhì)量流量計(jì)，獨(dú)立式氣柜；質(zhì)量流量控制器（MFC）控制精度±10%SP（氣體流量＞30%FS），±03%FS（氣體流量≤30%FS）★118投標(biāo)人需保證所提供產(chǎn)品為全新未使用過(guò)的設(shè)備。12工藝指標(biāo)：121、SiO2薄膜：工藝溫度：200-400℃；沉積速率：40-300nm/min可調(diào)；★片內(nèi)均勻性：4英寸晶圓內(nèi)不均勻度<20%；★片間均勻性：4英寸晶圓內(nèi)不均勻度<20%；★折射率：145-147；★漏電數(shù)據(jù)：擊穿電壓＞110MV/cm（判定：漏電流密度1μA/00218cm2）；★光透過(guò)率：>85%（波長(zhǎng)400-800nm）122、SiNx薄膜：工藝溫度：200-400℃；沉積速率：40-300nm/min可調(diào)；★片內(nèi)均勻性：4英寸晶圓內(nèi)不均勻度<20%；★片間均勻性：4英寸晶圓內(nèi)不均勻度<20%；★折射率：185-200；★漏電數(shù)據(jù)：擊穿電壓＞60MV/cm（判定：漏電流密度1μA/00218cm2）；★光透過(guò)率：>75%（波長(zhǎng)400-800nm）2安裝調(diào)試供應(yīng)商設(shè)備到貨后，采購(gòu)方負(fù)責(zé)檢查件數(shù)及包裝是否完好，并負(fù)責(zé)保管;還應(yīng)協(xié)助供應(yīng)商將設(shè)備搬運(yùn)至安裝現(xiàn)場(chǎng)，為安裝提供方便。供應(yīng)商人員在設(shè)備到貨后，應(yīng)在三天內(nèi)趕到現(xiàn)場(chǎng)安裝調(diào)試?，F(xiàn)場(chǎng)設(shè)備調(diào)試到量產(chǎn)使用周期為2-3周。3預(yù)驗(yàn)收設(shè)備完成組裝后,供應(yīng)商應(yīng)該按照自己的出貨標(biāo)準(zhǔn)要求,對(duì)設(shè)備進(jìn)行初步的測(cè)試或驗(yàn)收，達(dá)到出貨標(biāo)準(zhǔn)且滿足設(shè)備技術(shù)規(guī)格要求后，使用方再到設(shè)備供應(yīng)商現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行驗(yàn)收確認(rèn)，使用方確認(rèn)滿足后，才可以發(fā)貨交付；如遇到不可抗力(如疫情)，或者設(shè)備采購(gòu)方無(wú)法到現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)收的，供應(yīng)商可以把自驗(yàn)報(bào)告發(fā)給設(shè)備采購(gòu)方確認(rèn)，確認(rèn)滿足要求后才可以發(fā)貨:其中，預(yù)驗(yàn)收?qǐng)?bào)告中檢測(cè)項(xiàng)目應(yīng)在合同規(guī)定范圍內(nèi)，一般由使用方制定或供方代為撰寫(xiě)并交付使用方裁定認(rèn)可。4驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)及驗(yàn)收方法41硬件信息確認(rèn)序號(hào)項(xiàng)目描述驗(yàn)收方法驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)1熱臺(tái)適用于8英寸及以下尺寸樣品。溫度范圍100-400℃?，F(xiàn)場(chǎng)觀察實(shí)物，軟件端度熱臺(tái)溫度，范圍100-400℃滿足8英寸熱臺(tái)，溫度范圍滿足100-400℃設(shè)定2干泵抽速≥600m3/h現(xiàn)場(chǎng)觀察干泵銘牌或者干泵廠家產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)銘牌或者干泵廠家說(shuō)明書(shū)滿足抽速≥600m3/h3干泵抽速≥35m3/h，loadlock用現(xiàn)場(chǎng)觀察干泵銘牌或者干泵廠家產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)銘牌或者干泵廠家說(shuō)明書(shū)滿足抽速抽速≥35m3/h4真空規(guī)電容薄膜規(guī)，滿量程10Torr現(xiàn)場(chǎng)觀察真空規(guī)銘牌滿足10Torr真空規(guī)規(guī)格5射頻系統(tǒng)HF：頻率1356MHz，功率10KW現(xiàn)場(chǎng)觀察實(shí)物實(shí)物與合同一致射頻匹配器現(xiàn)場(chǎng)觀察實(shí)物實(shí)物與合同一致6氣路配置標(biāo)配7路：SiH4、N2O、NH3、Ar、O2、CF4、N2，流量可調(diào)。MFC品牌：Horiba現(xiàn)場(chǎng)觀察實(shí)物實(shí)物與合同一致7托盤(pán)配8英寸轉(zhuǎn)6英寸，8英寸轉(zhuǎn)4英寸鋁制托盤(pán)現(xiàn)場(chǎng)觀察實(shí)物實(shí)物與合同一致42硬件驗(yàn)收指標(biāo)序號(hào)驗(yàn)收項(xiàng)目驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)驗(yàn)收方法1腔室極限真空<20mTorr腔室抽24小時(shí)，觀察軟件端機(jī)臺(tái)本底真空數(shù)值2腔室漏氣率≤3mTorr/min測(cè)試公式：(postpressure-prepressure)/10min3控壓范圍1000-8000mTorr注入N2或者工藝氣體，可滿足1000-8000mtorr腔壓控制4控壓精度±1%SP或±03%FS設(shè)置1000-8000mtorr，收集腔壓波動(dòng)數(shù)據(jù)5熱臺(tái)溫度范圍100-400℃軟件讀取熱臺(tái)溫度6熱臺(tái)均勻性＜±1%SP采用熱電偶晶圓測(cè)溫系統(tǒng)（TCWafer）測(cè)試7高頻激勵(lì)射頻電源精度±25％SP或±3W射頻設(shè)定100W-750W測(cè)試8高頻激勵(lì)射頻匹配速度<3s射頻設(shè)定100W-750W測(cè)試9高頻激勵(lì)射頻匹配精確度±1%SP或±5W射頻設(shè)定100W-750W測(cè)試43工藝驗(yàn)收指標(biāo)序號(hào)驗(yàn)收項(xiàng)目驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)驗(yàn)收方法1工藝溫度SiO2、SiNx：200-400℃溫度穩(wěn)定性＜±3℃軟件讀取熱臺(tái)溫度2沉積速率SiO2、SiNx：40-300nm/min可調(diào)薄膜沉積厚度除以射頻開(kāi)啟時(shí)間3片內(nèi)均勻性SiO2、SiNx：4英寸晶圓內(nèi)不均勻度<20%干涉膜厚儀連續(xù)測(cè)量5片，每片49點(diǎn),去掉邊緣5mm，不均勻度公式為：(THKmax-THKmin)/2MEAN*100%4片間均勻性SiO2、SiNx：4英寸晶圓內(nèi)不均勻度<20%干涉膜厚儀連續(xù)測(cè)量5片，每片49點(diǎn),去掉邊緣5mm，不均勻度公式為：(MEANmax-MEANmin)/2MEAN*100%5折射率SiO2：145-147SiNx：185-200橢偏儀測(cè)試49點(diǎn)，去掉邊緣5mm6漏電數(shù)據(jù)SiO2：擊穿電壓＞110MV/cmSiNx：擊穿電壓＞60MV/cm采取汞探針測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)量；擊穿判定標(biāo)準(zhǔn)：漏電流密度1μA/00218cm27光透過(guò)率SiO2：>85%SiNx：>75%（波長(zhǎng)400-800nm）紫外-可見(jiàn)光-近紅外分光光度計(jì)透射模式測(cè)試七、付款方式、供貨周期★付款方式：合同簽訂后支付合同總額50%，驗(yàn)收合格后支付合同總額40%，驗(yàn)收合格保修期結(jié)束后合同總額10%；★供貨周期：合同簽訂后6個(gè)月內(nèi)交貨八、培訓(xùn)要求在設(shè)備安裝調(diào)試完成后，供方提供操作、保養(yǎng)、以及維修維護(hù)培訓(xùn)（人數(shù)2人，時(shí)間1周）直至使用方可以獨(dú)立熟練的操作設(shè)備，培訓(xùn)內(nèi)容：