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第五章采購需求一、貨物說明一覽表：設(shè)備名稱數(shù)量是否接受進(jìn)口產(chǎn)品預(yù)算金額（萬元）超低損傷刻蝕機(jī)1臺(tái)否500（一）采購的背景：擬購買的TSV-ALE集成刻蝕系統(tǒng)主要用于Si、GaN等多種半導(dǎo)體材料的先進(jìn)刻蝕工藝開發(fā)與亞納米級(jí)精細(xì)結(jié)構(gòu)制造。二、技術(shù)要求（一）技術(shù)參數(shù)設(shè)備名稱采購需求數(shù)量超低損傷刻蝕機(jī)1設(shè)備主要功能與用途擬購買的TSV-ALE集成刻蝕系統(tǒng)主要用于Si、GaN、低維納米材料等多種半導(dǎo)體材料的先進(jìn)刻蝕工藝開發(fā)與亞納米級(jí)精細(xì)結(jié)構(gòu)制造。反應(yīng)腔樣品臺(tái)大小需支持8吋晶圓，需配備自動(dòng)控制軟件，可兼容科研與工業(yè)生產(chǎn)用途。2主要技術(shù)規(guī)格21工藝腔室配置211反應(yīng)腔室獨(dú)立模塊化設(shè)計(jì)，方便維護(hù)與保養(yǎng)#212作業(yè)溫度范圍可覆蓋-20~90℃，溫度控制±05℃，可實(shí)現(xiàn)深硅刻蝕工藝，可實(shí)現(xiàn)GaN、GaAs、低維納米材料等多種半導(dǎo)體材料的原子層刻蝕工藝#213采用雙極ESC，保證晶圓處理安全性，減少晶圓起弧情況，確保靜電釋放充分，在plasmaoff狀態(tài)時(shí)仍能實(shí)現(xiàn)晶圓的有效吸附214傳送模塊配備高精度晶圓位置傳感器，支持8寸晶圓215設(shè)備支持10路工藝氣體，N2、O2、AR、HE、C4F8、1SF6、CL2、CF4等22供氣與真空系統(tǒng)#221采用中心加邊緣多路進(jìn)氣方案，保證腔室氣體分布的均勻性★222配備高速響應(yīng)MFC，響應(yīng)速度<50ms，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制短脈沖式刻蝕工藝中的工藝氣體通入流量與時(shí)長#223配備高性能機(jī)械泵與分子泵協(xié)同系統(tǒng)，機(jī)械泵抽速不小于600m3/h，腔室極限壓力小于4×10-5Torr，腔室真空漏率小于2mTorr/min224配備高壓、低壓雙壓力傳感器，可實(shí)時(shí)檢測(cè)腔室壓力，壓力檢測(cè)范圍覆蓋0~10Torr225安全防護(hù)要求，具備真空泄壓、過溫保護(hù)、氣體聯(lián)鎖與急停功能，符合國家電氣安全規(guī)范23射頻等離子體系統(tǒng)#231配置高功率脈沖射頻電源，頻率可調(diào)：（1）Source等離子體射頻電源1356MHz，最大功率不低于5000W，最小功率不高于5W，調(diào)節(jié)分辨率優(yōu)于01W；（2）Bias等離子體射頻電源1356MHz，最大功率不低于2000W，最小功率不高于5W，調(diào)節(jié)分辨率優(yōu)于01W；（3）偏壓Bias射頻配置1356MHz+400KHz，最大功率不小于1000W，最小功率不高于5W，調(diào)節(jié)分辨率優(yōu)于01W232采用平面環(huán)形電圈設(shè)計(jì)，保證腔室內(nèi)等離子體分布均勻24自動(dòng)控制軟件241多語言（中文、英文）的自動(dòng)控制軟件，良好的人機(jī)交互界面，支持一鍵升級(jí)242軟件控制系統(tǒng)為實(shí)時(shí)高精度PLC控制系統(tǒng)和高性能工控機(jī)組成，高速數(shù)據(jù)采集和高可靠性，可連續(xù)運(yùn)行243能在同一界面中實(shí)現(xiàn)對(duì)包括射頻功率、作業(yè)溫度、時(shí)間、壓力、氣體流量等在內(nèi)的刻蝕參數(shù)方便的進(jìn)行控制，能全自動(dòng)運(yùn)行，并可以顯示系統(tǒng)運(yùn)行中的各個(gè)參數(shù)，控制設(shè)備的各個(gè)單元包括射頻電源、作業(yè)溫度、氣體流量、腔室壓強(qiáng)等運(yùn)行狀態(tài)244操作系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設(shè)置、互鎖報(bào)警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體，方便快捷、高效穩(wěn)定地為用戶提供安全可靠的操作245系統(tǒng)配置數(shù)據(jù)采集和快速故障診斷功能，可對(duì)工藝參數(shù)的實(shí)時(shí)監(jiān)控和報(bào)警分析，可快速故障診斷，確?？涛g工藝過程的穩(wěn)定性3設(shè)備具體指標(biāo)項(xiàng)目序號(hào)項(xiàng)目具體指標(biāo)深硅刻蝕（Si）1刻蝕速率>3um/min2選擇比Si:Hardmask>90,Si:PR>30★3深寬比20~35:14均勻性片內(nèi)<5%；片間<5%5側(cè)壁slopeangel90°±2°原子層刻蝕(GaN)1刻蝕速率<1nm/cycle2cycle時(shí)間<50s（GaN,25℃）3均勻性片內(nèi)<2%；片間<2%4污染控制<30ea（>02μmsize，RFoff）4環(huán)境與安全要求：41電源條件：交流208V，三相五線制。42環(huán)境條件：溫度18~28℃；濕度30~70%RH；潔凈度千級(jí)或更高。43安全防護(hù)要求：具備真空泄壓、過溫保護(hù)、氣體聯(lián)鎖與急停功能，符合國家電氣安全規(guī)范。5設(shè)備可靠性與維護(hù)指標(biāo)51系統(tǒng)平均運(yùn)行時(shí)間：≥85%。52平均無故障時(shí)間：≥350小時(shí)。53平均修復(fù)時(shí)間：≤4小時(shí)。54平均輔助間隔時(shí)間：≥24小時(shí)。55自動(dòng)運(yùn)行無報(bào)警循環(huán)：≥1000片。三、交貨時(shí)間及地點(diǎn)1交貨時(shí)間：合同簽訂后6個(gè)月內(nèi)完成全部設(shè)備交付工作，交付后2個(gè)月內(nèi)完成安裝調(diào)試工作，使設(shè)備具備驗(yàn)收條件。2交貨地點(diǎn)：北京理工大學(xué)良鄉(xiāng)校區(qū)信創(chuàng)樓A一層四、售后服務(wù)1服務(wù)標(biāo)準(zhǔn)：提供設(shè)備安裝調(diào)試、操作培訓(xùn)及現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持；提供至少1年免費(fèi)保修（含人工及部件）；保修期內(nèi)提供7×24小時(shí)電話/在線技術(shù)支持，故障報(bào)修后需在24小時(shí)內(nèi)響應(yīng)，72小時(shí)內(nèi)提供有效解決方案或現(xiàn)場(chǎng)服務(wù)；定期提供維護(hù)提醒及軟件升級(jí)通知。2服務(wù)期限：設(shè)備驗(yàn)收合格之日起計(jì)算，保修期不少于12個(gè)月；技術(shù)支持服務(wù)有效期不低于設(shè)備使用壽命。3效率要求：安裝調(diào)試及培訓(xùn)應(yīng)在設(shè)備到貨后1個(gè)月內(nèi)完成；設(shè)備故障平均修復(fù)時(shí)間不超過72小時(shí)（現(xiàn)場(chǎng)響應(yīng)時(shí)間按上述服務(wù)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行）。4技術(shù)資料：提供完整的中文版技術(shù)規(guī)格書、操作手冊(cè)、維護(hù)手冊(cè)、軟件使用說明（電子版及紙質(zhì)版各一份）；提供關(guān)鍵部件的材質(zhì)證明文件；提供符合國家計(jì)量法規(guī)要求的出廠校準(zhǔn)/測(cè)試報(bào)告（含主要性能參數(shù)）。5培訓(xùn)要求：供應(yīng)商需提供不少于1天的免費(fèi)現(xiàn)場(chǎng)操作、維護(hù)及基礎(chǔ)故障排除培訓(xùn)，確保至少3名操作人員能獨(dú)立操作設(shè)備。6貨到后在約定的時(shí)間內(nèi)，到指定的地點(diǎn)免費(fèi)為用戶進(jìn)行免費(fèi)安裝、調(diào)試，設(shè)備的性能應(yīng)符合產(chǎn)品說明書中規(guī)定的技術(shù)指標(biāo)。提供售出設(shè)備（或服務(wù)）的使用手冊(cè)及基本操作的現(xiàn)場(chǎng)培訓(xùn)。五、驗(yàn)收方案