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第四章技術(shù)服務(wù)需求一、采購需求一覽表貨物或名稱數(shù)量交貨期交貨地點(diǎn)簡要技術(shù)要求：是否允許進(jìn)口產(chǎn)品投標(biāo)多功能磁控濺射鍍膜機(jī)1套合同簽訂后180天內(nèi)完成交付。四川綿陽采購人指定地點(diǎn)多功能磁控濺射鍍膜機(jī)用于結(jié)構(gòu)件的表面沉積薄膜，系統(tǒng)設(shè)計制造及運(yùn)行應(yīng)符合GB/T11164-2011《真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件》。設(shè)備符合人機(jī)工程要求，布局合理，設(shè)備不得安裝無線通信和發(fā)射裝置。不允許二、技術(shù)需求多功能磁控濺射鍍膜機(jī)采購技術(shù)要求1設(shè)備名稱多功能磁控濺射鍍膜機(jī)2數(shù)量一套。3總體要求多功能磁控濺射鍍膜機(jī)用于結(jié)構(gòu)件的表面沉積薄膜，系統(tǒng)設(shè)計制造及運(yùn)行應(yīng)符合GB/T11164-2011《真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件》。設(shè)備符合人機(jī)工程要求，布局合理，設(shè)備不得安裝無線通信和發(fā)射裝置。多功能磁控濺射鍍膜機(jī)設(shè)計制造應(yīng)符合ISO9000（或同等級）質(zhì)量體系認(rèn)證。鍍膜方式為非平衡磁場磁控濺射鍍膜及磁過濾電弧離子鍍。系統(tǒng)具備的薄膜沉積功能：金屬薄膜、硬質(zhì)薄膜、氧化物薄膜、多層薄膜、梯度薄膜，非金屬表面金屬化。可在室溫至450℃條件下鍍膜。設(shè)備集成的外購功能組件或零件（如泵組系統(tǒng)、電源、各類傳感器、各類儀表等）應(yīng)具有良好的質(zhì)量品質(zhì)。4具體要求多功能磁控濺射鍍膜機(jī)系統(tǒng)主要包括以下部分：具有2個真空鍍系統(tǒng)模塊，分別為磁控濺射系統(tǒng)模塊和彎管磁過濾電弧鍍系統(tǒng)模塊；每個模塊分別配置真空室，真空獲得及監(jiān)測系統(tǒng)，沉積源、離子源、偏壓及電源系統(tǒng)，供氣系統(tǒng)，加熱溫控系統(tǒng)，轉(zhuǎn)架，控制系統(tǒng)，以及配套的冷卻系統(tǒng)。41真空室▲304L不銹鋼材質(zhì)，內(nèi)壁拋光處理?！镎婵帐依鋮s裝置、密封圈等應(yīng)滿足真空室最高加熱溫度≥450℃?！锎趴貫R射系統(tǒng)模塊有效鍍膜空間不小于(Φ650×800)mm3，室內(nèi)直徑Φ1000mm~Φ1100mm，室內(nèi)高度≥1200mm?！锎胚^濾電弧鍍系統(tǒng)模塊有效鍍膜空間不小于(Φ650×250)mm3，室內(nèi)尺寸≥(Φ850mm×650)mm3?！鴥?nèi)腔壁裝有方便拆裝更換的防污染不銹鋼擋板，每個真空室配置不少于2套。▲配置上下不少于兩個觀察窗，觀察窗采用防射線鏡片，并另裝有便利拆卸的玻璃片，隔離鍍膜。響應(yīng)文件中明確觀察窗數(shù)量。42真空獲得與監(jiān)測系統(tǒng)★由前級泵（旋片泵、羅茨泵）+分子泵+各種閥門的泵組組成真空獲得系統(tǒng)。磁控濺射系統(tǒng)模塊分子泵抽速≥2900L/s，磁過濾電弧鍍系統(tǒng)模塊分子泵抽速≥2100s?！玫募夹g(shù)參數(shù)要求見下表。響應(yīng)文件中附選型電源型號、指標(biāo)圖片標(biāo)簽。單位磁控濺射系統(tǒng)模塊磁過濾電弧鍍系統(tǒng)模塊最高排量（50Hz電源）m3/h29280最高抽速（50Hz電源）m3/h25574電動機(jī)轉(zhuǎn)速r/min14401420極限真空無氣鎮(zhèn)（分壓）Pa10-21×10-2無氣鎮(zhèn)（分壓）1×10-11×10-1完全氣鎮(zhèn)（分壓）5×10-15×10-1水蒸氣最高泵送速率kg/h2503最高氣鎮(zhèn)流量m3/h314泵油容量最高L2863最低1840▲羅茨泵的技術(shù)參數(shù)要求見下表，且為了相容性，羅茨泵應(yīng)與旋片泵為同一品牌。響應(yīng)文件中附選型電源型號、指標(biāo)圖片標(biāo)簽。單位磁控濺射系統(tǒng)模塊磁過濾電弧鍍系統(tǒng)模塊排氣速度（50Hz電源）m3/h25901195前級泵組合抽速（50Hz電源）m3/h1900840轉(zhuǎn)速r/min0-29000-2900連續(xù)工作允許入口壓力mbar0-10000-1000排氣口最大允許壓力mbar10001000泵油容量齒輪箱L35125聯(lián)軸器6524軸封150125★磁控濺射系統(tǒng)模塊配備冷阱裝置，冷阱壓縮機(jī)功率≥9kW，管溫度-120℃～-145℃，熱負(fù)載≥3500W，抽氣速度≥250000L/s，預(yù)冷時間≤30min，降溫時間≤5min，除霜時間≤3min；響應(yīng)文件中明確真空室內(nèi)冷阱布局位置?！锉媒M配置及真空腔密封性需實(shí)現(xiàn)極限真空度為5×10-5Pa，抽真空30分鐘真空度可達(dá)5×10-3Pa，系統(tǒng)漏率≤5×10-10Pam3/s，升壓率≤2Pa/10h?！锩總€模塊配置適合真空系統(tǒng)及工藝能力的前級、真空室內(nèi)的真空計1套，工藝薄膜規(guī)1個?！邆溴兡み^程中氣壓異常邏輯互鎖保護(hù)。響應(yīng)文件中明確安全互鎖邏輯說明。★泵組的運(yùn)動機(jī)構(gòu)具有可靠的遮蔽防護(hù)措施。43沉積源、離子源、偏壓及電源★磁控濺射系統(tǒng)模塊配置矩形非平衡磁控濺射靶4套，磁控靶尺寸≥（1000×95）mm2。配套直流脈沖電源2臺，單臺功率≥10kW，接入2套磁控靶；配套高性能高功率脈沖磁控濺射（HIPIMS）電源2臺，每臺功率10kW，脈沖發(fā)生器具有兩路輸入輸出，每路輸入功率5kW，最大電壓1000V，最大電流10A，每路輸出峰值功率1000kW，峰值電壓1000V，峰值電流1000A（≤2kHz）、500A（≤125kHz）、150A（≤25kHz），頻率范圍DC-25kHz，抑制電弧時間≤2us，弧延遲時間30us-32000us，接入另外2套磁控靶。響應(yīng)文件中附高功率脈沖磁控濺射電源品牌、型號、指標(biāo)圖片標(biāo)簽。▲磁控濺射系統(tǒng)模塊形成閉合場非平衡磁控結(jié)構(gòu)?！锎胚^濾電弧鍍系統(tǒng)模塊配置矩形非平衡磁控濺射靶3套，磁控靶尺寸不小于（400×95）mm2。配套直流脈沖電源2臺，單臺功率≥5kW，接入2個磁控靶；高性能射頻電源1臺，功率≥3kW，輸出頻率1356MHz，接入另1個磁控靶。△射頻電源的技術(shù)參數(shù)要求為：輸出功率范圍30W~3KW，最大反射功率600W，阻抗50Ω，脈沖頻率1Hz~30kHz或1Hz~50kHz，占空比1%~99%，電弧響應(yīng)時間1μ