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1采購需求一總則11本技術(shù)規(guī)格所提出的要求是對本次招標貨物的基本技術(shù)要求，并未涉及所有技術(shù)細節(jié)，也未充分引述有關(guān)標準、規(guī)范的全部條款。投標人應(yīng)保證其提供的貨物除了滿足本技術(shù)規(guī)格的要求外，還應(yīng)符合中國國家、行業(yè)、地方或設(shè)備制造商所在國的有關(guān)標準、規(guī)范（尤其是必須符合中國國家標準的有關(guān)強制性規(guī)定)。12本技術(shù)規(guī)格中提及的工藝、材料、設(shè)備的標準及參考品牌或型號（如有）僅起說明作用，并沒有強制性。投標人在投標中可以用替代工藝、材料、設(shè)備的標準及品牌或型號，但這種替代須實質(zhì)上滿足、等同或優(yōu)于本技術(shù)規(guī)格的要求，否則其投標無效。13中標的主要產(chǎn)品的數(shù)量、單價、規(guī)格等將予以公布。二采購范圍序號標的名稱單位數(shù)量備注1專用深硅刻蝕機1臺1用于TRENCH工藝，主要由真空反應(yīng)室、等離子體系統(tǒng)、氣路輸送系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、自動化傳送及對位系統(tǒng)、軟件控制模塊、配套附件等組成。2專用深硅刻蝕機2臺1用于VIA工藝，主要由真空反應(yīng)室、等離子體系統(tǒng)、氣路輸送系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、自動化傳送及對位系統(tǒng)、軟件控制模塊、配套附件等組成。三技術(shù)要求31標識符號標識類型標識符號標識符號含義實質(zhì)性參數(shù)★負偏離或未響應(yīng)視為實質(zhì)性不響應(yīng)招標文件要求重要參數(shù)●重要技術(shù)指標，根據(jù)評分辦法中相關(guān)要求進行評審一般參數(shù)無標識一般技術(shù)指標，根據(jù)評分辦法中相關(guān)要求進行評審注：標識條款中如包含多條子項技術(shù)參數(shù)或要求，則需滿足或優(yōu)于該標識條款內(nèi)所有子項技術(shù)參數(shù)或2要求方能得分。32技術(shù)要求321專用深硅刻蝕機1（用于TRENCH工藝）3211真空反應(yīng)室★（1）數(shù)量：≥1；★（2）樣品尺寸：12英寸；●（3）工藝控壓精度：≤01mTorr；★（4）下電極配置靜電卡盤和背氦冷卻；控溫范圍-20℃~40℃●（5）下電極溫控精度：≤1℃,控溫均勻性：≤1℃；（6）腔室具備自清潔功能。3212等離子體系統(tǒng)★（1）上電極額定功率：≥4000W，頻率1356MHz；★（2）RF偏壓發(fā)生器額定功率：≥1500W，頻率400kHz；●（3）匹配穩(wěn)定時間≤3s；（4）射頻功率精確度：±1%設(shè)定值或±5W（設(shè)定值≥500W）；3213氣路輸送系統(tǒng)●（1）≥9路工藝氣體，至少包含SF6、CF4、Ar、O2、N2、CHF3、He、C4F8、NF3；（2）每路工藝氣路均配置質(zhì)量流量計MFC，Gasbox漏氣率≤05mTorr/min；●（3）氣路切換時間≤200ms。3214真空系統(tǒng)（1）真空反應(yīng)腔配置高真空泵：分子泵抽速≥3000L/s；（2）真空反應(yīng)腔室極限真空≤5E-4Torr，腔室漏氣率<2mTorr/min；（3）傳輸腔室極限本底真空≤5mTorr，腔室漏氣率<10mTorr/min；3215溫度控制系統(tǒng)（1）反應(yīng)腔室壁控制：涵蓋室溫~70℃；3（2）GDP溫度控制：涵蓋室溫~80℃；（3）Chiller控溫范圍：涵蓋-20℃至40℃。（4）基座控溫精度：±1℃（5）基座控溫均勻性：±1℃3216軟件控制模塊（1）控制系統(tǒng)采用客戶機-服務(wù)器結(jié)構(gòu)，每個組件都具備獨立的控制器，系統(tǒng)通過遠程現(xiàn)場控制器RFC、對全部組件進行實時監(jiān)控；（2）可通過互聯(lián)網(wǎng)連接設(shè)備各個組件、進行遠程診斷和遠程服務(wù)；（3）提供管理員、工藝工程師、設(shè)備工程師、操作員四種用戶權(quán)限，并且可以根據(jù)用戶要求調(diào)整權(quán)限，可以對工藝配方、機臺參數(shù)、報警、實時數(shù)據(jù)進行查看編輯，并具有自動記錄功能。3217電源系統(tǒng)：配置UPS，支持斷電后≥10min繼續(xù)工作。3218自動化傳送及對位系統(tǒng)●（1）配置雙手臂自動傳片機器人，支持自動上下料，傳送精度≤005mm，支持12英寸晶圓的傳送；★（2）支持晶圓厚度涵蓋500-1200μm；（3）需配備晶圓預(yù)對位系統(tǒng)，位移偏差值±05mm；（4）自動傳送晶圓破片比例≤1/5000；（5）允許晶圓翹曲±500μm@12英寸；（6）Loadport≥3個。3219配套附件（1）設(shè)備配置緊急停止開關(guān)、具備完善的安全互鎖功能；（2）備品備件包：隨機備品備件/工具清單及用于免費保修期后一年的備品備件包，投標供應(yīng)商須在投標文件中提供詳細的備品備件清單及單價，上述備品備件費用視為已包含在投標報價內(nèi)；4（3）設(shè)備交付時，中標人至少提供相應(yīng)電子版資料，包括設(shè)備說明書、操作維護手冊及出廠質(zhì)檢合格證等。32110工藝性能指標★（1）刻蝕角度≥85°；★（2）刻蝕深寬比≥40，（刻蝕深度≥400μm）；★（3）側(cè)壁粗糙度≤80nm；★（4）刻蝕深度均勻性：片內(nèi)和片間均勻性≤4%，SEM測量刻蝕深度，刻蝕深度均勻性計算方法：（深度最大值—深度最小值）/（2×深度平均值）；322專用深硅刻蝕機2（用于VIA工藝）3221真空反應(yīng)室★（1）數(shù)量：≥1；★（2）樣品尺寸：12英寸；●（3）工藝控壓精度：≤01mTorr；★（4）下電極配置靜電卡盤和背氦冷卻；控溫范圍-20℃~40℃●（5）下電極溫控精度：≤1℃,控溫均勻性：≤1℃；（6）腔室具備自清潔功能。3222等離子體系統(tǒng)★（1）上電極額定功率：≥4000W，頻率1356MHz；★（2）RF偏壓發(fā)生器額定功率：≥1500W，頻率400kHz；●（3）匹配穩(wěn)定時間≤3s；（4）射頻功率精確度：±1%設(shè)定值或±5W（設(shè)定值≥500W）；3223氣路輸送系統(tǒng)●（1）≥9路工藝氣體，至少包含SF6、CF4、Ar、O2、N2、CHF3、He、C4F8、NF3；（2）每路工藝氣路均配置質(zhì)量流量計MFC，Gasbox漏氣率≤05mTorr/min；●（3）氣路切換時間≤200ms。